子工業出版社 USTRY 第二节压阻式传感器 c2.2.1半导体的压阻效应 2.22体型半导体应变片 22.3扩散型压阻式压力传感器 22.4压阻式加速度传感器 2.2.5测量桥路及温度补偿
第二节 压阻式传感器 • 2.2.1 半导体的压阻效应 • 2.2.2 体型半导体应变片 • 2.2.3 扩散型压阻式压力传感器 • 2.2.4 压阻式加速度传感器 • 2.2.5 测量桥路及温度补偿 返 回 下一页
子工業出版社 USTRY 2.2.1半导体的压阻效应 固体受到作用力后,电阻率就要发生变化,这 种效应称为压阻效应 半导体材料的压阻效应特别强。 压阻式传感器的灵敏系数大,分辨率高。频率 响应高,体积小。它主要用于测量压力、加速 度和载荷等参数。 因为半导体材料对温度很敏感,因此压阻式传 感器的温度误差较大,必须要有温度补偿
2.2.1 半导体的压阻效应 固体受到作用力后，电阻率就要发生变化，这 种效应称为压阻效应 半导体材料的压阻效应特别强。 压阻式传感器的灵敏系数大，分辨率高。频率 响应高，体积小。它主要用于测量压力、加速 度和载荷等参数。 因为半导体材料对温度很敏感，因此压阻式传 感器的温度误差较大，必须要有温度补偿。 返 回 上一页 下一页
子工業出版社 压阻效应 SHING HOUSE OF ELECTRONICS INDUSTRY △R =(1+)E+ R 金属材料半导体材料 半导体电阻率40 丌1G=丌1E 兀为半导体材料的压阻系数,它与半导体材料种类及应力方向 与晶轴方向之间的夹角有关; E为半导体材料的弹性模量,与晶向有关。 △R =(1++x1E)E R
压阻效应 金属材料 半导体材料 l l E ＝ l = l e 半导体电阻率 πl为半导体材料的压阻系数，它与半导体材料种类及应力方向 与晶轴方向之间的夹角有关； E为半导体材料的弹性模量，与晶向有关。 返 回 上一页 下一页 = + + (1 ) R R (1 E) R R = + + l
忘電子工出版社 对半导体材料而言,TE>(1+以),故(1+)项可以忽略 △R Rx,EE=丌10 半导体材料的电阻值变化,主要是由电阻率变化引起的, 而电阻率p的变化是由应变引起的 半导体单晶的应变灵敏系数可表示 △R/R K =丌,E 半导体的应变灵敏系数还与掺杂浓度有关,它随杂质的增加而减小
对半导体材料而言，πl E >>(1+μ)，故(1+μ)项可以忽略 l E l R R = = 半导体材料的电阻值变化，主要是由电阻率变化引起的， 而电阻率ρ的变化是由应变引起的 半导体单晶的应变灵敏系数可表示 E R R K l = = / 半导体的应变灵敏系数还与掺杂浓度有关，它随杂质的增加而减小 返 回 上一页 下一页
電子工業出社 USTRY 2.2.2体型半导体电阻应变片 1.结构型式及特点 ·2.测量电路
返 回 上一页 下一页 2.2.2 体型半导体电阻应变片 ⚫ 1. 结构型式及特点 ⚫ 2. 测量电路