04场效应管及其放大电路 The Field-Effect Transistor and Basic FET Amplifiers 4.1 IGFET 4.2 JFET 4.3型号 4.4FET放大电路 4.5小结与基本要求 跳转到目录页
跳转到目录页 4.1 IGFET 4.2 JFET 4.3 型号 4.4 FET放大电路 4.5 小结与基本要求 The FieldEffect Transistor and Basic FET Amplifiers
场效应管( FET--Field Effect Transister Field Effect --- VCCS 特点:易集成( LSIVLSI,输入阻抗高 按结构分,有两类 1.*#!JFET (Junction type Field Effect Transister) 2.绝缘栅型 IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 也称金属氧化物半导体三极管 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FEt) 跳转到目录页
跳转到目录页 场效应管(FET——Field Effect Transister) 1. 结型JFET (Junction type Field Effect Transister) 2. 绝缘栅型IGFET ( Insulated Gate Field Effect Transister) 也称金属氧化物半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET） 按结构分，有两类 特点：易集成(LSI\VLSI)，输入阻抗高 Field Effect ---> VCCS
4. 1 GFET( MOSFET 4.1.1结构与符号 4.1.2工作原理与特性曲线 4.1.3主要参数 跳转到目录页
跳转到目录页 4.1 IGFET（ MOSFET ） 4.1.1 结构与符号 4.1.2 工作原理与特性曲线 4.1.3 主要参数
4.1.1结构与符号( Construction and Symbo) 结构 MOS管又分为两类 W 增强型( Enhancement-mode) 耗尽型( depletion-mode) P衬底 增强型MOS管 D( Drain)为漏极,相当c G(Gate)为栅极,相当b D S( Source)为源极,相当e N沟道(导电通道) 箭头 N-channel P→N 符号 跳转到目录页
跳转到目录页 4.1.1 结构与符号(Construction and Symbol ) MOS 管 又分为两类： 增强型 (Enhancement-mode ) 耗尽型 (depletion-mode ) D(Drain)为漏极，相当 c G(Gate)为栅极， 相当 b S(Source)为源极，相当 e 增强型MOS 管 N沟道（导电通道） N-channel 箭头： P Æ N 二、符号 一、结构
ID/mA V DS =10V 4.1.2工作原理 与特性曲线 D 特性曲线G Characteristics 3210 1、转移特性曲线 246 GS Transfer Characteristics D/mA可变电阻区 1D≠f GS)IT DS - const GS=6T 2、输出特性曲线 击穿区 恒流区 Drain Characteristics GS =5V FFdS) VGs=const GS s=4 GS=3T VCCS! Vr=2V 101520夹断区 DS/V 跳转到目录页
跳转到目录页 4.1.2 工作原理 与特性曲线 1 、转移特性曲线 Transfer Characteristics ID =f( VGS )⏐VDS=const 2 、输出特性曲线 Drain Characteristics ID =f( VDS )⏐VGS=const VCCS ！ 一、特性曲线 Characteristics