工作原理 OV Operation 窄 Threshold voltage s=V(开启电压) 1、开启( turn on)沟道 反型层( Inversion layer) cs控制沟道宽窄 (宽 增强型MOS管 ++A++ 51O2 ++++A++++ 51O2 +++++++++ S102 二二二二二 P衬底 P衬底 P衬底 电子 电子 电子 0空穴 空穴 负离子 负离子 负离子 跳转到目录页
跳转到目录页 二、工作原理 Operation Threshold voltage （开启电压) VGS控制沟道宽窄 1、开启(turn on)沟道 0V 反型层(Inversion layer) + 宽 窄 VGS=VT 增强型MOS管
2.沟道变形 D/mA可变电阻区 GS=6T VDs控制 电位梯度 击穿区 1恒流区 沟道形状 楔形沟道 GS=5V 预夹断2 pinch-off GS 4V GS=3V 2 5101520 夹断区 DS P衬底 P衬底 P衬底 跳转到目录页
跳转到目录页 2．沟道变形 预夹断 pinch-off 楔形沟道 0 + 电位梯度 VDS控制 沟道形状
D/mA可变电阻区 输出特性曲线 GS 击穿区 I Df()IVGs 恒流区 GS =5V VCCS! 2//:7s=078=37 形成原因: 5101520夹断区 DS/V ID H N+· P衬底 P衬底 衬底 B B B 跳转到目录页<工
跳转到目录页 三区： 可变电阻区(resistive region) —— 饱和区 恒流区（constant current region）——放大区 夹断区（cutoff rigion） ——截止区 输出特性曲线 ID=f(VDS)⏐VGS=const VCCS！ 形成原因：
另:N沟道耗尽型 MOSFET G D ID/mA SO2 D DSS G p衬底 54321 B GS/ (a)结构和符号 (b)转移特性曲线 P沟道N沟道 PNP NPN 跳转到目录页
跳转到目录页 另：N沟道耗尽型MOSFET (a) 结构和符号 (b) 转移特性曲线 P沟道 N沟道 PNP NPN
4.1.3主要参数 ZD/mA可变电阻区 (1)直流参数 击穿区 恒流区 ①V开启电压 GS =5 S-- 增强型 Vr=2v sV时 1b≈002310132mh/V 饱和漏极电流 ID/mA 耗尽型 Gs=0( shorted)时 IDss D 所对应的 ③R GS 输入电阻8 约109~101592 4-3-2-10 s/ 跳转到目录页
跳转到目录页 4.1.3 主要参数 (1) 直流参数 ① VT——开启电压 增强型 ② IDSS——饱和漏极电流 耗尽型 VGS=0 （shorted ) 时 所对应的 ID ③ RGS——输入电阻 约10 9 ～1015 Ω GS ≤ T 时， D ≈ 0IVV