§3.1放大电路的分析方法 1、等效电路法 半导体器件的非线性特性使放大电路的分析复 杂化。利用线性元件建立模型,来描述非线性 器件的特性。 ◆1、直流模型:适于Q点的分析。 R bo-D BEQ BB BEO 2CO B CO R R BQ]CEQ
§3.1 放大电路的分析方法 1、等效电路法 ◼ 半导体器件的非线性特性使放大电路的分析复 杂化。利用线性元件建立模型，来描述非线性 器件的特性。 ◆ 1、直流模型：适于Q点的分析。 CQ BQ CEQ CQ c b BB BEQ BQ ,I I ,U V I R R V U I = = CC − － ＝
2、半导体三极管的等效模型 ■可将晶体管看成为一个两 端口网络,输入回路、输♀ 出回路各为一个端口。 cQ bo uBE=f(iB,LucE) ic= f( B, uce) l4 CEQ
2、半导体三极管的等效模型 ◼ 可将晶体管看成为一个两 端口网络，输入回路、输 出回路各为一个端口。 = = ( ) ( ) C B CE BE B CE i f i u u f i u ，
■交流等效模型 11 12b 2
◼ 交流等效模型
简化的h参数等效电路一交流等效模型 (微变等效电路) (1+B) b EO 基区体电阻一查阅手册 发射结电阻一由发射极静态电流来计算
简化的h参数等效电路－交流等效模型 （微变等效电路） EQ T bb' b be be (1 ) I U r I U r = = + + 基区体电阻－查阅手册 发射结电阻－由发射极静态电流来计算
3、放大电路的动态分析 R b R U=l(R+re=1(r+r 0=-1R BR R R.+ R=R
3、放大电路的动态分析 ( ) ( ) i i b be b b be U = I R + r = I R + r o c Rc U I = − b be c i o R r R U U Au + = = − b be i i i R r I U R = = + Ro = Rc