IGBT、 MOSFET都是最常用的电压控制型开 关器件。它们共同的特点是:控制极(栅极回路) 都可以等效为一个电容器 栅极回路的击穿电压BVs均 Ra 为±20V,一般使用中不超过 ±15V,实用的典型栅极电路(M)Wy 如图所示: gs Rg是栅极驱动限流电阻,Rg越小栅极获得的 驱动电流越大,开关器件的开关速度越快。 太小的Rg会造成驱动电路负荷过重,例如,驱动 电路输出电流峰值b=2(八),输出电压∨o=15(V)时
IGBT、MOSFET都是最常用的电压控制型开 关器件。它们共同的特点是：控制极（栅极回路） 都可以等效为一个电容器。 栅极回路的击穿电压BVGS均 为±20V，一般使用中不超过 ±15V，实用的典型栅极电路 如图所示： Rg Rgs W1 W2 Vgs Rg是栅极驱动限流电阻， Rg越小栅极获得的 驱动电流越大，开关器件的开关速度越快。 太小的Rg会造成驱动电路负荷过重，例如，驱动 电路输出电流峰值Ip=2(A)，输出电压VO=15(V)时
Rg小于7.5欧姆就可能造成驱动电路过载。 过快的开关速度对开关器件也不绝对有利,特 别是关断时,过快的速度会造成过大的dvdt,对器 件的可靠关断不利 Rg太大会造成开关器件的开关过渡过程变长(功 耗增加)同样不利 Rg具体大小可参考器件资料,一般电流容量越 大的器件(Cg大)R越小,电流容量越小的器件 (Cs小)Rg越大。在实际电路中,可通过实验在典 型值附近调整
Rg小于7.5欧姆就可能造成驱动电路过载。 过快的开关速度对开关器件也不绝对有利，特 别是关断时，过快的速度会造成过大的dv/dt，对器 件的可靠关断不利。 Rg太大会造成开关器件的开关过渡过程变长（功 耗增加）同样不利。 Rg具体大小可参考器件资料，一般电流容量越 大的器件（Cgs大）Rg越小，电流容量越小的器件 （Cgs小）Rg越大。在实际电路中，可通过实验在典 型值附近调整