43金属氧化物半导体场效应管 N沟道 JFET (耗尽型) 结型P沟道 FET 「N沟道 场效应管 增强型{P道 MOSFET 绝绿栅型 耗尽型/N沟道 P沟道
11 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型）
431N沟道增强型 MOSFET 1.结构 d Qs g od -OB 绝缘层 S / EN N NI N沟道 P(衬底) OB B S P沟道 12
12 4.3.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构
41N沟道增强型 MOSFET 2.工作原理 0 g g 氧化硅、 耗尽层 耗尽层N型(感生)沟道 B衬底引线 B衬底引线 DD 迅 速 饱 增 g 大 团团团 N型(感生)沟道 夹断区 B衬底引线 B衬底引线 13
13 二氧化硅 g s d iD＝0 铝 耗尽层 N ＋ N ＋ P B 衬底引线 VGG s d iD＝0 耗尽层 P B 衬底引线 N ＋ N ＋ N 型(感生)沟道 g g s d iD 迅 速 增 大 N 型(感生)沟道 P B 衬底引线 VGG VDD N ＋ N ＋ g s d iD 饱 和 P B 衬底引线 VGG VDD N ＋ N ＋ 夹断区 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理