4场效应管放大电路 V41结型场效应管掌握场效应管的工作原理 注意与BJT的异同点 42砷化镓金属-半导体场效应管 43金属-氧化物-半导体场效应管 MOS管,简单介绍 √44场效应管放大电路比:与B放大电路 4.5各种放大器件电路性能比较 自学(归纳、比较)
4 场效应管放大电路 4.1 结型场效应管 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 4.4 场效应管放大电路 4.5 各种放大器件电路性能比较 *4.2 砷化镓金属-半导体场效应管 类比：与BJT放大电路 自学（归纳、比较） MOS管，简单介绍 掌握场效应管的工作原理 注意与BJT的异同点 √ √
4场效应管放大电路 引言 问题的引出 进一步提高R 但BJT的J正偏,r较小 2、分类J N沟迫(耗尽型) 结型P7沟道 FET 沟道 场效应管 增强型 MOSFET P沟道 绝绿栅型 耗尽型/沟道 沟道
2 引言 4 场效应管放大电路 1、问题的引出 2、分类 进一步提高Ri ， 但BJT的Je正偏，rbe较小 FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型）
41结型场效应管 411JFET的结构和工作原理 结构 ●工作原理 412JFET的特性曲线及参数 ●输出特性 转移特性 主要参数
3 4.1 结型场效应管 • 结构 • 工作原理 • 输出特性 • 转移特性 • 主要参数 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数
漏极 D()JJFET的结构和工作原理 1结构 空间电荷区(耗尽层) N型导电沟道 结构特点 沟道电阻 长度、宽度、掺杂 反偏的P结 —一反偏电压控制耗尽层 D D 栅极G(g) G N沟道 P沟道 S 源极S(s)
4 4.1.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 N型导电沟道 漏极D(d) 源极S(s) 沟道电阻 P —— 长度、宽度、掺杂 + P + 反偏的PN结 —— 反偏电压控制耗尽层 结构特点: 空间电荷区（耗尽层） 栅极G(g)
411JFET的结构和工作原理 2.工作原理④v对沟道的控制作用 ②V对沟道的影响 GS GS <0(反偏) Vs增加→耗尽层加厚→沟道变窄全夹断(夹断电压) →沟道电阻增大 耗尽层d
5 4.1.1 JFET的结构和工作原理 g d s P + N P + 耗尽层 g d s P + N P + g d s P + N P + 2. 工作原理 ① VGS对沟道的控制作用 ② VDS对沟道的影响 • VGS=0 • VGS＜0 (反偏) • VGS= VP |VGS |增加 →耗尽层加厚 →沟道变窄 →沟道电阻增大 全夹断（夹断电压）