7DDDDVDDRRR.VodVoddVoggRoUi<VTU>VT0E/sN(b)(a)当uGs<Vr：MOS管截止，DS间相当于开关断开，输出高电平当uGs>Vr：MOS管导通，导通电阻很小，相当于开关闭合输出低电平MOS管相当于一个由Vcs控制的无触点开关人A
：MOS管导通，导通电阻很小，相当于开关闭合 输 出低电平 当υGS < VT : MOS管截止，DS间相当于开关断开， 输出高电平 当υGS > VT MOS管相当于一个由vGS控制的无触点开关
反相器3.1.4 CM0SVop>VTN+VPl)1.工作原理Vp=-2 VVIN=2VTNTpVV'GSNVGSPVo+VDD.截止+10VOV-10V导通10VOVTPS10VOVOV截止导通10+10VHD00VVo逻辑表达式OOVTNSiL=AA公
3.1.4 CMOS 反相器 1.工作原理 +VDD +10V D1 S1 vi vO TN TP D2 S2 0V +10V vi vGSN vGSP TN TP vO 0 V 0V -10V 截止 导通 10 V 10 V 10V 0V 导通 截止 0 V VTN = 2 V VTP = − 2 V L = A 逻辑表达式 V V V ) DD TN TP ＞( +
2.电压传输特性和电流传输特性Vo/VT~在饱和区T~截止Tp在可变电阻区5:B7电压传输特性Vo=f（v）4CT~和T,均在饱和区3AB段：由于V=VGsw<ViN,VGsp>VpT~在可变电阻区2DT.在饱和区故TN截止，TP导通，输出高电平1T截止-E!!F0512134U/VVDDBE段：由于VT<V<VDD-VPl,2所以VGS>VIN，VGsp>VTP故TN和TP同ip/mA时导通EBCD2HEF段：由于V>VDD-VTP，则VGsw>VTN,VGsp<Vrp故TN导通，FTP截止，输出低电平234015U/VVDDA2
2. 电压传输特性和电流传输特性 v f ( v ) 电压传输特性 O = I AB段：由于 故TN截止，TP导通，输出高电平 , V V V V V I GSN TN GSP TP = BE段：由于 故TN和TP同 时导通 , V V V V TN I DD TP − , 所以V V V V GSN TN GSP TP EF段：由于 故TN导通， TP截止，输出低电平 V VDD VTP I − ，则 , V V V V GSN TN GSP TP
3.1.5CMOS逻辑门VTp=-2 VVIN=2 V1.CMOS与非门(a)电路结构+VDD+10V(b）工作原理BLATN1TP1TN2TP210VTPTP1Lo截止导通截止导通00LOVVA截止导通导通截止01TNIVAO01导通截止截止导通BoTN2101导通截止导通截止VBL=ABN输入的与非门的电路？输入端增加有什么问题？人
A B TN1 TP1 TN2 TP2 L 0 0 0 1 1 0 1 1 截止 导通 截止 导通 导通 导通 导通 截止 截止 导通 截止 截止 截止 截止 导通 导通 1 1 1 0 1.CMOS 与非门 vA +VDD +10V TP1 TN1 TP2 TN2 A B L vB vL (a)电路结构 (b)工作原理 VTN = 2 V VTP = − 2 V 0V 10V N输入的与非门的电路? 输入端增加有什么问题? 3.1.5 CMOS 逻辑门 L AB =
2.CMOS或非门VTN=-2 VVTp=-2V+VDD+10VAOBTNIALTp1TN2Tp2TPIBo截止截止导通100导通TP210V截止导通0导通截止0LOV0导通导通TN2截止截止00N5导通截止0截止导通N输入的或非门的电路的结构？L=A+B输入端增加有什么问题？A人
L = A+ B 2.CMOS 或非门 +VDD +10V TP1 TN1 TN2 TP2 A B L A B TN1 TP1 TN2 TP2 L 0 0 0 1 1 0 1 1 截止 导通 截止 导通 导通 导通 导通 截止 截止 导通 截止 截止 截止 截止 导通 导通 1 0 0 0 0V 10V VTN = 2 V VTP = − 2 V N输入的或非门的电路的结构? 输入端增加有什么问题?