3.传输延迟时间传输延迟时间是表征门电路开关速度CMOS电路传输延迟时间的参数，它说明门电路在输入脉冲波形的作用下，其输出波形相对于输入50%50%输入tPLL波形延迟了多长的时间'PLHI90%输出90%类型50%50%74HC74LVC74HCT74AUC参数VDD=5VVDD=3.3VVDD-1.8VVDD=5V10%10%1tpLn或tp(ns)782.10.9rrIA人
类型 参数 74HC VDD=5V 74HCT VDD=5V 74LVC VDD=3.3V 74AUC VDD=1.8V tPLH或tPHL(ns) 7 8 2.1 0.9 3.传输延迟时间 传输延迟时间是表征门电路开关速度 的参数，它说明门电路在输入脉冲波 形的作用下，其输出波形相对于输入 波形延迟了多长的时间。 CMOS电路传输延迟时间 t PHL 输出 50% 90% 50% 10% t PLH t f t r 输入 50% 50% 10% 90%
4.功耗静态功耗：指的是当电路没有状态转换时的功耗，即门电路空载时电源总电流.与电源电压VDp的乘积动态功耗：指的是电路在输出状态转换时的功耗对于TTL门电路来说，静态功耗是主要的CMOS电路的静态功耗非常低，CMOS门电路有动态功耗5.延时-功耗积是速度功耗综合性的指标.延时-功耗积，用符号DP表示6.扇入与扇出数扇入数：取决于逻辑门的输入端的个数A
4. 功耗 静态功耗：指的是当电路没有状态转换时的功耗，即门电路 空载时电源总电流ID与电源电压VDD的乘积。 5. 延时−功耗积 是速度功耗综合性的指标.延时−功耗积，用符号DP表示 扇入数：取决于逻辑门的输入端的个数。 6. 扇入与扇出数 动态功耗：指的是电路在输出状态转换时的功耗， 对于TTL门电路来说，静态功耗是主要的。 CMOS电路的静态功耗非常低，CMOS门电路有动态功耗
扇出数：是指其在正常工作情况下，所能带同类门电路的最大数目。(a）带拉电流负载当负载门的个数增加时，总的拉电流将增加，会引起输出高电压的降低。但不得低于输出高电平的下限值，这就限制了负载门的个数。loH高电平扇出数：IHVIou（驱动门）NOHIm（负载门）IHlom：驱动门的输出端为高电平电流I：负载门的输入电流为。A
扇出数：是指其在正常工作情况下，所能带同类门电路的最大数目。 （a)带拉电流负载 当负载门的个数增加时，总的拉电流将增加，会引起输出高电压 的降低。但不得低于输出高电平的下限值，这就限制了负载门的 个数。 I ( ) I ( ) N 负载门 驱动门 IH OH OH = 高电平扇出数: IOH :驱动门的输出端为高电平电流 IIH :负载门的输入电流为
(b）带灌电流负载当负载门的个数增加时，总的灌电流。将增加，同时也将引起输出低电压V。的升高。当输出为低电平，并且保证不超过输出低电平的上限值。OLIoL（驱动门）NoL&1元（负载门）IoL：驱动门的输出端为低电平电流IL：负载门输入端电流之和
(b)带灌电流负载 I ( ) I ( ) N 负载门 驱动门 IL OL OL = 当负载门的个数增加时，总的灌电流IOL将增加，同时也将引起 输出低电压VOL的升高。当输出为低电平，并且保证不超过输 出低电平的上限值。 IOL ：驱动门的输出端为低电平电流 IIL ：负载门输入端电流之和
3.1.3M0S开关及其等效电路N沟道增强型MOS管的结构和符号漏极D半导体层D0S（Source）:源极pB衬底栅极GG（Gate）：栅极n(氧化物)B(金属)D（Drain)：漏极PN结S源极SB（Substrate)：衬底(b)符号（a）结构示意图SiO2绝缘层E人
S (Source)：源极 G (Gate)：栅极 D (Drain)：漏极 B (Substrate):衬底 N沟道增强型MOS管的结构和符号 PN结 3.1.3 MOS开关及其等效电路 SiO2绝 缘层 半导体层