考虑到涡流的反射作用,L两端的阻抗z(突略C的影响 可用下式表示 oM Z=R+ioL+ RE+JOLE R+OMR E 0-ML 2+jOL E RE+OLE RE +O LE (34.1)式 式中信号源的角频率 L 上一页 下一页
+ + − + = + + = + + 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 E E E E E E E E L R L M L j L R L M R R R j L M Z R j L 考虑到涡流的反射作用，L两端的阻抗ZL (突略C的影响 ） 可用下式表示 式中ω——信号源的角频率。 返 回 上一页 下一页 (3.4.1)式
计算邻近高频线圈的金属板呈现的电感效应与涡流损耗之间 的数量关系可以进行估计 表341不同频率时的感抗分量与电阻分量 频率 电阻Rz (MH7 感抗 oL(2) 1g·cm p=100/·cm 0.1 0.002 0.02 10 0.0063 0.063 100 10.0 0.02 0.2 金属板对涡流呈现的电感效应可以用许多大小不同的电感线圈 按一定方式结合起来的总效应来等效 上一页 下一页
表3.4.1 不同频率时的感抗分量与电阻分量 计算邻近高频线圈的金属板呈现的电感效应与涡流损耗之间 的数量关系可以进行估计。 金属板对涡流呈现的电感效应可以用许多大小不同的电感线圈 按一定方式结合起来的总效应来等效。 返 回 上一页 下一页 ωL E (Ω) (Ω)
由于R<,令K—耦合系数, K2=M2/(L。则式(41可以简化为 L-R+REK +JoL(I-K) L (3.42)式 E Z的虚部与金属板的电阻率无关,而仅与耦合系数K有关, 即仅与线圈至金属板之间的距离有关 在实际条件下,即K<1,并有R<OLE 可以认为式(34.2)在特定条件下 测量信号频率较高,金属板电阻率较小且变化范围不大) 存在着以下的关系 L ReK(-K 2 E 上一页 下一页
由于RE<<ωLE ，令K——耦合系数， K2=M2／(L·LE )。则式(3.4.1)可以简化为 (1 ) 2 2 K j L K L L Z R R E L = + E + − ZL的虚部与金属板的电阻率无关，而仅与耦合系数K有关， 即仅与线圈至金属板之间的距离有关 在实际条件下，即K<1，并有RE<<ωLE 可以认为式(3.4.2)在特定条件下 (测量信号频率较高，金属板电阻率较小且变化范围不大) 存在着以下的关系 (1 ) 2 2 K L K L L R E E − 返 回 上一页 下一页 （3.4.2）式
3,传感器的结构 线圈 框架 3.框架衬套 4.支架 5.电缆 6.插头 上一页 下一页
3. 传感器的结构 1. 线圈 2. 框架 3．框架衬套 4． 支架 5．电缆 6．插头 返 回 上一页 下一页