华中电信系 53结型场效应管 531JFET的结构和工作原理 532JFET的特性曲线及参数 53.3JFET放大电路的小信号模型分析法 HOME BACKNEXT
5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法
53.1JFET的结构和工作原理 华中大电信系 1.结构 耗尽层 d 氧化层 源极 栅极|漏极 N型导电沟道耗尽层 P’型衬底 符号中的箭头方向表示什么? HOME BACKNEXT
5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构
华中电信系 2.工作原理(以N沟道JFET为例) ①cs对沟道的控制作用 当 lUGS <0时 耗 尽 PN结反偏→耗尽层加厚 →沟道变窄 cs继续减小,沟道 继续变窄。 当沟道夹断时,对应 耗耗 的栅源电压Uc称为夹断 尽尽 层ⅰ层 电压Vp(或Vsom) 对于N沟道的JFET,Vp<0。 HOME BACKNEXT
2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应 的栅源电压vGS称为夹断 电压VP （ 或VGS(off)）。 对于N沟道的JFET，VP <0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 vGS继续减小，沟道 继续变窄
2.工作原理(以N沟道JFET为例) 迅速增大 ②Ds对沟道的控制作用 当vcs=0时,→D个 耗尽层 G、D间PN结的反向 电压增加,使靠近漏极 b趋于饱和 处的耗尽层加宽,沟道 变窄,从上至下呈楔形 b饱和 分布。 当乙s增加到使 cD=v时,在紧靠漏 DD 极处出现预夹断。 此时ns个→夹断区延长→>沟道电阻个 →>D基本不变 HOME BACKNEXT
2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS ID G、D间PN结的反向 电压增加，使靠近漏极 处的耗尽层加宽，沟道 变窄，从上至下呈楔形 分布。 当vDS增加到使 vGD=VP时，在紧靠漏 极处出现预夹断。 此时vDS 夹断区延长 沟道电阻 ID基本不变
华中电信系 2.工作原理(以N沟道JFET为例) ③vcs和s同时作用时 当v<Us<0时,导电沟道更容易夹断, 对于同样的∽s,L的值比es=0时的值要小 在预夹断处 UGd=UGs UDs=Vp HOME BACKNEXT
2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ③ vGS和vDS同时作用时 当VP <vGS<0 时，导电沟道更容易夹断， 对于同样的vDS，ID的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP