场效应管的分类: 华中电信系 N沟道 增强型 MOSFET P沟道 IGFET) N沟道 FET 绝缘栅型 耗尽型 场效应管 P沟道 JFET N沟道 结型 (耗尽型) P沟道 耗尽型:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在 增强型:场效应管没有加偏置电压时,没有导电沟道 HOME BACKNEXT
P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类：
华中电信系 5金属氧化物半导体 (MoOS)场效应管 5.1.1N沟道增强型 MOSFET 512N沟道耗尽型 MOSFET 513P沟道 MOSFET 5.1.4沟道长度调制效应 515 MOSFET的主要参数 HOME BACKNEXT
5.1 金属-氧化物-半导体 （MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应
5.1.1N沟道增强型 MOSFET 华中电信系 1.结构(N沟道)L:沟道长度W:沟道宽度tn:绝缘层厚度 通常W>L 绝缘体沟道栅极g二氧化硅绝缘层 (SiO,) 铝电极 (AD P型衬底 源极 漏极d HOME BACKNEXT
5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构（N沟道） L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W > L
5.1.1N沟道增强型 MOSFET 华中电信系 1.结构(N沟道) 源极s 栅枚吕铝 漏极d SO2绝缘层 N 衬底 耗尽层P型硅衬底 B B衬底引线 剖面图 符号 HOME BACKNEXT
5.1.1 N沟道增强型MOSFET 剖面图 1. 结构（N沟道） 符号
5.1.1N沟道增强型 MOSFET 华中电信系 2.工作原理 iD=0 g (1)cs对沟道的控制作用 二氧化硅 当ces≤0时 无导电沟道,d、s间加电压时,也 无电流产生。 耗尽层 当0<s<h时 B衬底引线 产生电场,但未形成导电沟道(感生沟 道),d、s间加电压后,没有电流产生。 =0 S g 当s>时 在电场作用下产生导电沟道,d、s间加 电压后,将有电流产生 zcs越大,导电沟道越厚 耗尽层N型(感生)沟道 称为开启电压 5B衬底引线 HOME BACKNEXT
5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 （1）vGS对沟道的控制作用 当vGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也 无电流产生。 当0<vGS <VT 时 产生电场，但未形成导电沟道（感生沟 道），d、s间加电压后，没有电流产生。 当vGS >VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加 电压后，将有电流产生。 vGS越大，导电沟道越厚