华中电信系 41半导体三极管 411BJT的结构简介 412放大状态下BJT的工作原理 41.3BJT的V一特性曲线 414BJT的主要参数 HOME BACKNEXT
4.1 半导体三极管 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V－I特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数
411BJT的结构简介 华中电信系 (a)小功率管(b)小功率管(c)大功率管d)中功率管 HOME BACKNEXT
4.1.1 BJT的结构简介 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
411BJT的结构简介 华中电信系 集电极 c集电极 半导体三极管的结 构示意图如图所示。 集电区集电结 集电区集电结 它有两种类型:NPN型 和PNP型 基极 基极 基区 发射结 发射结 发射区 发射区 (a)NPN型管结构示意图 发射极 发射极 (b)PNP型管结构示意图 (c)NPN管的电路符号 (d)PNP管的电路符号 HOME BACKNEXT
半导体三极管的结 构示意图如图所示。 它有两种类型:NPN型 和PNP型。 4.1.1 BJT的结构简介 (a) NPN型管结构示意图 (b) PNP型管结构示意图 (c) NPN管的电路符号 (d) PNP管的电路符号
411BJT的结构简介 华中电信系 集成电路中典型NPN型BT的截面图 b e SiO 铝 隔离 外延层 P P N 埋层 基极 P 硅衬底 HOME BACKNEXT
集成电路中典型NPN型BJT的截面图 4.1.1 BJT的结构简介
412放大状态下BJT的工作原理 极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过载 流子传输体现出来的。 由于三极管内有两种载流子(自 外部条件:发射结正偏 由电子和空穴)参与导电,故称为双 集电结反偏 极型三极管或BJT( Bipolar Junction Transistor)。 1.内部载流子的传输过程 发射区:发射载流子 hE IcN 集电区:收集载流子 TE Ic 基区:传送和控制载流子 IBN lcr (以NPN为例) Re R TEB+Ic cIno CBO lE 放大状态下BJT中载流子的传输过程 HOME BACKNEXT
三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载 流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏 集电结反偏 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 1. 内部载流子的传输过程 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 由于三极管内有两种载流子(自 由电子和空穴)参与导电，故称为双 极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 IC= InC+ ICBO IE=IB+ IC 放大状态下BJT中载流子的传输过程