华中电信系 6.1模拟集成电路中的 直流偏置技术 61.1BJT电流源电路 1.镜像电流源 3.高输出阻抗电流源 2.微电流源 4.组合电流源 62FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源 3.JFET电流源 HOME BACKNEXT
6.1 模拟集成电路中的 直流偏置技术 6.1.1 BJT电流源电路 6.1.2 FET电流源 1. 镜像电流源 2. 微电流源 3. 高输出阻抗电流源 4. 组合电流源 1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源 3. JFET电流源
61.1BJT电流源电路 华中电信系 镜像电流源 R 1、T2的参数全同 c2=1。=lR 即B1=B2,ICEo1 b,b CE02 BE2 BEl El I=lc1 EE 当BJT的较大时,基极电流可以忽略 VCC-VBE(vee VCC+Vee C2 REF R R 代表符号 HOME BACKNEXT
6.1.1 BJT电流源电路 1. 镜像电流源 VBE2 =VBE1 E2 = E1 I I C2 = C1 I I T1、T2的参数全同 即β1 ＝β2，ICEO1 ＝ICEO2 当BJT的β较大时，基极电流IB可以忽略 Io ＝IC2≈IREF ＝ R V V R VCC VBE VEE CC EE ( ) 代表符号
61.1BJT电流源电路 镜像电流源 REF 动态电阻 C1 b T C2 CE2 击穿 般r在几百千欧以上 。斜率 可用范围— CE2 HOME BACKNEXT
6.1.1 BJT电流源电路 1. 镜像电流源 动态电阻 B2 1 CE2 C2 o ( ) I v i r 一般ro在几百千欧以上 ce r
61.1BJT电流源电路 2.微电流源 REF 2 BEl BE2 lc2=1 C2 E2 R TI T BE2 △Vn BE R 由于△V很小, E 所以(2也很小。r。rm2(1+AR) +R e2 参考射极偏置共射放大电路的输出电阻R HOME BACKNEXT
6.1.1 BJT电流源电路 2. 微电流源 e2 BE1 BE2 R V V IO IC2 IE2 e2 BE R V 由于 VBE 很小， 所以IC2也很小。 ro ≈rce2（1＋ ） be2 e2 e2 r R R （参考射极偏置共射放大电路的输出电阻 R o ）
61.1BJT电流源电路 CC 3.高输出阻抗电流源 R REF 1c3=I CC BE3 BE2 +y EE REF R C2 0 ≈1c2 TI REF A1和43分别是T和T3的相对结面积 动态输出电阻r远比微电流源的动态输出电阻为高 HOM配E BACKNEXT
A1和A3分别是T1和T3的相对结面积 动态输出电阻ro远比微电流源的动态输出电阻为高 6.1.1 BJT电流源电路 3. 高输出阻抗电流源 R V V V V I CC BE3 BE2 EE REF REF 1 3 o C2 I A A I I