7.3.2新相的形核 大多数固态相变也经历形核和长大两个过程。固态相变的形核过程往往是 先在母相中某些微小区域内形成新相所必须的成分和结构，称为核胚；若 核胚尺寸超过某一临界值，便能稳定存在并自发长大，成为新相晶核。 一均匀形核（能量条件） 1形核时的能量变化 相变阻力 (2)界面能(o,So) 取决于界面结构 △T越大，晶核越小， Sσ大共格/半共格 (与过冷度有关) △T越小，晶核越大， Sσ小非共格 若晶核主要是在母相的晶界、层错、位错等晶体缺陷处形成，称为非均匀形 核；若晶核在母相中无择优地任意均匀分布，则称为非均匀形核
7.3.2新相的形核 一 均匀形核（能量条件） 1 形核时的能量变化 相变阻力 （2）界面能（，S） 取决于界面结构 △T越大，晶核越小， S 大 共格/半共格 （与过冷度有关） △T越小，晶核越大， S小 非共格 大多数固态相变也经历形核和长大两个过程。固态相变的形核过程往往是 先在母相中某些微小区域内形成新相所必须的成分和结构，称为核胚；若 核胚尺寸超过某一临界值，便能稳定存在并自发长大，成为新相晶核。 若晶核主要是在母相的晶界、层错、位错等晶体缺陷处形成，称为非均匀形 核；若晶核在母相中无择优地任意均匀分布，则称为非均匀形核
第二带固态相变的形核与长大 一均匀形核（能量条件） 1形核时的能量变化 (3)应变能（ε，Ve) 相变阻力 共格应变能：共格大，半共格小，非共格0 分类 比体积差 球状最大 体积应变能 新相几何形状 了片状最小 针状居中 球状 L,0 针状 0.7 2 c/o
第二节 固态相变的形核与长大 一 均匀形核（能量条件） 1 形核时的能量变化 （3）应变能(,V) 相变阻力 共格应变能：共格大，半共格小，非共格0 分类 比体积差 球状最大 体积应变能 新相几何形状 片状最小 针状居中
第二节固态相变的形核与长大 一均匀形核（能量条件） 2形核的能量条件 △G=-VaGv+So+Ve<0 rK=2o/(△Gv-8) △GK=16πo/3(△Gv-e)2
第二节 固态相变的形核与长大 一 均匀形核（能量条件） 2 形核的能量条件 △G＝－V△Gv+S+ V<0 rK=2 /(△Gv-) △GK=16/3(△Gv-) 2
第二节固态相变的形核与长大 二非均匀形核（能量条件） 固态相变均匀形核的可能性很小，非均匀形核 (依靠晶体缺陷)是主要的形核方式
第二节 固态相变的形核与长大 二 非均匀形核（能量条件） 固态相变均匀形核的可能性很小，非均匀形核 （依靠晶体缺陷）是主要的形核方式
第二节固态相变的形核与长大 二非均匀形核（能量条件) 1不同晶体缺陷对形核的作用 能量高，降低△GK (1)晶界形核 结构混乱，降低ε 易扩散、偏析，利于扩散相 变 新相/母相形成共格、半共 格界面降 低界面能
第二节 固态相变的形核与长大 二 非均匀形核（能量条件） 1 不同晶体缺陷对形核的作用 能量高，降低△GK （1）晶界形核 结构混乱，降低 易扩散、偏析，利于扩散相 变 新相/母相形成共格、半共 格界面降 低界面能