N型半导体 在常温下即可 变为自由电子多入五价元素 x--D多余电子惨杂浓度远大于本 4 征半导体中载流子浓 度,所以,自由电子 浓度远大于空穴浓度。 +4 自由电子称为多数 载流子(多子), 磷原子 空穴称为少数载流 子(少子) 电工电子学B 返回
2021/2/20 电工电子学B N 型半导体 掺杂浓度远大于本 征半导体中载流子浓 度，所以，自由电子 浓度远大于空穴浓度。 自由电子称为多数 载流子（多子）， 空穴称为少数载流 子（少子）。 +4 +4 +5+4 +4 多余电子 磷原子 掺入五价元素 在常温下即可 变为自由电子 返回 失去一个 电子变为 正离子
P型半导体 掺入三价元素 o 掺杂浓度远大于本 4 4 空穴征半导体中载流子浓 度,所以,空穴浓度 +4 远大于自由电子浓度。 空穴称为多数载流 子(多子) 硼原子 自由电子称为少数 载流子(少子) 2021/2/20 电工电子学B
2021/2/20 电工电子学B P 型半导体 +4 +4 +3+4 +4 硼原子 空穴 掺入三价元素 掺杂浓度远大于本 征半导体中载流子浓 度，所以，空穴浓度 远大于自由电子浓度。 空穴称为多数载流 子（多子）， 自由电子称为少数 载流子（少子）
3、PN结的形成内电场越强,瀑移运动 少子的漂越强,而漂移使空间电荷 空间电荷区也称PN结 区变薄。 P型半导体 内电好N型半导体 eQ扩散和漂 QeQ⊙eG④④(移这一对相 。反的运动最 ee99⊙终达到动态 9④④@平衡,空间 电荷区的厚 扩散的结果使 度固定不变 空间电荷区变宽。度 多子的扩散运动 202 电工电子学B
2021/2/20 电工电子学B 3、PN结的形成 多子的扩散运动 内电场E 少子的漂移运动 浓度 差 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 空间电荷区 内电场越强，漂移运动 越强，而漂移使空间电荷 区变薄。 扩散的结果使 空间电荷区变宽。 扩散和漂 移这一对相 反的运动最 终达到动态 平衡，空间 电荷区的厚 度固定不变. 空间电荷区也称 PN 结
PN结的形成 当P型半导体和N型半导体结合在 起的时侯,由于交界面处存在载流子 浓度的差异→多子扩散→产生空间电荷 区和内电场→内电场阻碍多子扩散,有 利少子漂移 当扩散运动和漂移运动达到动态平 衡时,交界面形成稳定的空间电荷区, 即PN结。 2021/2/20 电工电子学B
2021/2/20 电工电子学B PN结的形成: 当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在 一起的时侯，由于交界面处存在载流子 浓度的差异→多子扩散→产生空间电荷 区和内电场→内电场阻碍多子扩散，有 利少子漂移. 当扩散运动和漂移运动达到动态平 衡时，交界面形成稳定的空间电荷区， 即ＰＮ结
4、PN结的单向导电性 PN结加正向电压(正向偏置,P接正、N接 负)时,PN结处于正向导通状态,PN结正 向电阻较小,正向电流较大 PN结加反向电压(反向偏置,P接负、N接正) 时,PN结处于反向截止状态,PN结反向电 阻较大,反向电流很小。 2021/2/20 电工电子学B
2021/2/20 电工电子学B 4、PN结的单向导电性 • PN 结加正向电压（正向偏置，P 接正、N接 负 ）时， PN 结处于正向导通状态，PN 结正 向电阻较小，正向电流较大。 • PN 结加反向电压（反向偏置，P接负、N接正 ） 时， PN 结处于反向截止状态，PN 结反向电 阻较大，反向电流很小