《电线》电子案 第3章场效应管 概述 31Mos场效应管 3.2结型场效应管 33场效管应用原理
第 3 章 场效应管 概 述 3.1 MOS 场效应管 3.2 结型场效应管 3.3 场效管应用原理
第3章场效应管 概述 场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。 它体积小、工艺简单,器件特性便于控制,是目前制造 大规模集成电路的主要有源器件。 场效应管分类 MOS场效应管 结型场效应管 场效应管与三极管主要区别: 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。 场效应管是单极型器件(三极管是双极型器件) 制作:大连海事大学研究室
概 述 场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。 它体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是目前制造 大规模集成电路的主要有源器件。 场效应管与三极管主要区别： • 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。 • 场效应管是单极型器件(三极管是双极型器件)。 场效应管分类： MOS 场效应管 结型场效应管 第 3 章 场效应管
第3章场效应管 31MOS场效应管 N沟道(NMOS) 增强型(EMOS) MOSFET P沟道(PMOS) N沟道(NMOS 耗尽型(DMOS) P沟道(PMOS) N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似, 不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同,因此 导致加在各极上的电压极性相反。 制作:大连海事大学研究室
3.1 MOS 场效应管 P 沟道(PMOS) N 沟道(NMOS) P 沟道(PMOS) N 沟道(NMOS) MOSFET 增强型(EMOS) 耗尽型(DMOS) N 沟道 MOS 管与 P 沟道 MOS 管工作原理相似， 不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此 导致加在各极上的电压极性相反。 第 3 章 场效应管
第3章场效应管 3.1.1增强型MOS场效应管 口N沟道 EMOSFET结构示意图 源极」金属栅极 衬底极 漏极 G 电路符号 沟道 Wz 宽度 D Sio 绝缘层 -O U G P型硅 P 衬底 沟道长度 制作:大连海事大学研究室
N + N + P + P + P U S G D 3.1.1 增强型MOS 场效应管 ❑ N 沟道 EMOSFET 结构示意图 源极 衬底极 漏极 SiO2 绝缘层 金属栅极 P 型硅 S 衬底 G U D 电路符号 l 沟道长度 W 沟道 宽度 第 3 章 场效应管
第3章场效应管 口N沟道EMOS管工作原理 >N沟道EMos管外部工作条件 Vs>0(保证栅漏PN结反偏)。 U接电路最低电位或与S极相连(保证源衬PN结反偏)。 Vcs>0(形成导电沟道) DS 栅-衬之间相当于 以SiO2为介质的 G UO 平板电容器。 制作:大连海事大学研究室
➢ N 沟道 EMOS 管外部工作条件 • VDS > 0 (保证栅漏 PN 结反偏)。 • U 接电路最低电位或与S 极相连(保证源衬PN 结反偏)。 • VGS > 0 (形成导电沟道) P P + N+ N+ S G D U VDS - + - + VGS ❑ N沟道 EMOS 管工作原理 栅-衬之间相当于 以 SiO2 为介质的 平板电容器。 第 3 章 场效应管