PN结 本征半导体 杂质半导体 PN结的形成 PN结的单向导电性 2021/2/20 电工电子学B
2021/2/20 电工电子学B 一、PN结 • 本征半导体 • 杂质半导体 • PN结的形成 • PN结的单向导电性
1、本征半导体 半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的材料称 为半导体。最常用的半导体为硅和锗 半导体导电性能的特点: 热敏性:温度升高导电能力增强; 光敏性:光照增强导电能力增强 掺杂后导电能力剧增 21/2/20 电工电子学B
2021/2/20 电工电子学B 半导体: 导电能力介于导体和绝缘体之间的材料称 为半导体。最常用的半导体为硅和锗。 1、本征半导体 半导体导电性能的特点: 热敏性:温度升高导电能力增强； 光敏性:光照增强导电能力增强； 掺杂后导电能力剧增
本征半导体: 完全纯净、具有晶体结构的半导体。 本征半导体的导电性能 (1)在绝对0度和没有外界影响时,共价键中的价 电子被束缚很紧,本征半导体中无载流子的存在, 具有绝缘体的性能。 (2)在常温下(温度升高)使一些价电子获得足够 的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电子,同 时共价键上留下一个空位,称为空穴一本征激发 2021/2/20 电工电子学B
2021/2/20 电工电子学B 本征半导体: 完全纯净、具有晶体结构的半导体。 本征半导体的导电性能: (1)在绝对0度和没有外界影响时, 共价键中的价 电子被束缚很紧,本征半导体中无载流子的存在, 具有绝缘体的性能。 (2)在常温下（温度升高）使一些价电子获得足够 的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同 时共价键上留下一个空位，称为空穴---本征激发
空穴 +4 +4 自由电子 +4 .、 +4 X 束缚电子 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 2021/2/20 电工电子学B
2021/2/20 电工电子学B 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 +4 +4 +4 +4 空穴 自由电子 束缚电子
2、杂质半导体 本征半导体由于载流子数量极少,因此 导电能力很低 掺入有用杂质的半导体叫杂质半导体。 N型半导体 P型半导体 2021/2/20 电工电子学B ABack
2021/2/20 电工电子学B 2、杂质半导体 • 本征半导体由于载流子数量极少，因此 导电能力很低。 • 掺入有用杂质的半导体叫杂质半导体。 N型半导体 P型半导体