等离子体刻蚀 ■当被刻蚀层的厚度与线宽可以比拟时,需采用干 法刻蚀 ■由于刻蚀过程必须是一个低温的过程,因而要借 助于等离子体的高活性 ■对应于制备薄膜材料的CVD、PVD技术,等离 子体刻蚀也将表现出其主要是化学的、或主要是 物理的过程 在某种意乂上,等离子体的刻蚀过程是薄膜況积 过程的逆过程
等离子体刻蚀 ◼ 当被刻蚀层的厚度与线宽可以比拟时，需采用干 法刻蚀 ◼ 由于刻蚀过程必须是一个低温的过程，因而要借 助于等离子体的高活性 ◼ 对应于制备薄膜材料的CVD、 PVD技术，等离 子体刻蚀也将表现出其主要是化学的、或主要是 物理的过程 ◼ 在某种意义上，等离子体的刻蚀过程是薄膜沉积 过程的逆过程
等离子体刻蚀 等离子体的刻蚀实际上相当于 PECVD的逆过
等离子体刻蚀 等离子体的刻蚀实际上相当于PECVD的逆过程