电嫩场与电嘴波 第6章均匀平面波的反射与透射 媒质1中合成波的电磁场为 E (2)=Eim(e)=-xj2Eim sin B2 i,(e)=元，Ea(em:+e4-)=E,2 E.cosBz 71 瞬时值形式 。5m-引- E(z,t)=Re[E (z)e]=e,2Em sin Bzsin at H()-Re[H(coBcox 7
1 1 1 1 1 1 2 cos ( ) (e e ) ( ) (e e ) 2 sin 1 1 1 1 E z e E H z e E z e E e j E z i m y i m j z j z y x i m j z j z x i m = + = = − = − − − 媒质1中合成波的电磁场为 z t E H z t H z e E z t E z e E z t i m y j t x i m j t cos cos 2 ( , ) Re[ ( )e ] ( , ) Re[ ( )e ] 2 sin sin 1 1 1 1 1 1 1 = = = = 瞬时值形式 j j j = − + − = − − 2 sin 2 e cos 2 电磁场与电磁波 第6章 均匀平面波的反射与透射
电喊场局电喊波 第6拿均匀平面波的反射与透射 合成波的平均能流密度矢量 -R店H1 理想导体表面上的感应电流 js=en×H(2)l0 (-e.)xe3 7
合成波的平均能流密度矢量 * 1 1 1 * 1 1 1 Re[ ] 2 1 2 cos Re 2 sin ( ) 0 2 av im x im y S E H E z e j E z e = = − = 1 0 1 0 1 1 ( ) | 2 cos 2 ( ) | S n z im im z y z x J e H z E z E e e e = = = = − = 理想导体表面上的感应电流 电磁场与电磁波 第6章 均匀平面波的反射与透射
电嫩场与电哦波 第6拿均匀平面波的反射与透射 合成波的特点 E(=,t)=Re[E(=)e]=,2Esin Besin ot (=,t)=Re[H (z)e]= 7 媒质1中的合成波是驻波。电场振幅的最大值为 2Em,最小值为0：磁场振幅的最大值为2Emm1,最 小值也为0。 E H H 2 4
合成波的特点 媒质1中的合成波是驻波。电场振幅的最大值为 2Eim，最小值为0 ；磁场振幅的最大值为2Eim /η1，最 小值也为0。 z t E H z t H z e E z t E z e E z t i m y j t x i m j t cos cos 2 ( , ) Re[ ( )e ] ( , ) Re[ ( )e ] 2 sin sin 1 1 1 1 1 1 1 = = = = 电磁场与电磁波 第6章 均匀平面波的反射与透射
电喊场与电嘴波 第6拿均匀平面波的反射与透射 电场波节点(E,(z) 的最小值的位置)： f,2mn=-n元 2 n=0,1,2,3,.) 电场波腹点(E()的最大值的位置)》 B2min=-(2n+1)r/2 (2n+1)2 (n=0,1,2,32.） max 4
1 min z n = − 1 min 2 n z = − 1 max (2 1) 4 n z + = − (n = 0,1,2,3,.) (n = 0 ,1,2,3,.) 1 电场波节点（ E ( )z 的最小值的位置）： 电场波腹点（ E1 ( )z 的最大值的位置） 1 min z n = − + (2 1) / 2 电磁场与电磁波 第6章 均匀平面波的反射与透射
电嫩场与电哦波 第6拿均匀平面波的反射与透射 两相邻波节点之间任意两点 的电场同相。同一波节点两 侧的电场反相 E、H在时间上有π/2的相移 狱=3π/2 at=0碰=f4 E、H在空间上错开/4，电 a=5π/4碰=π2 场的波腹（节）点正好是磁场 的波节腹)点； 0t=灯a碰=5πf4 坡印廷矢量的平均值为零，不 发生能量传输过程，仅在两个 波节间进行电场能量和磁场能 =π/4 做=π/2at=0 的交换
坡印廷矢量的平均值为零，不 发生能量传输过程，仅在两个 波节间进行电场能量和磁场能 的交换。 E H 1 1 、 在时间上有π/ 2 的相移 在空间上错开λ/ 4，电 场的波腹（节）点正好是磁场 的波节腹）点； E H 1 1 、 两相邻波节点之间任意两点 的电场同相。同一波节点两 侧的电场反相 电磁场与电磁波 第6章 均匀平面波的反射与透射