(四)静态RAM芯片举例 静态RAM芯片有2114、2142、6116、6264等。 例如:常用的Inte6116是CMoS静态RAM芯片, 属双列直插式、21引脚封装。它的存储容量为2Kx8位 其引脚及内部结构框图如图57所示: 微机的存
（四）静态RAM芯片举例 静态RAM芯片有2114、2142、6116、6264等。 例如：常用的Intel 6116 是CMOS静态RAM芯片， 属双列直插式、21引脚封装。它的存储容量为2K×8位， 其引脚及内部结构框图如图5.7所示：
A 24 A 地址 存储矩阵 128×128 AA 锁存行译码 WE OE A0地址 Al 列译码 /0 A2-锁存 控制电路 AC 10 E 曰1/07CE- WE一 数据输入 I/01d 输出缓冲器 OE I/020 I/O0…I/O7 GND 12 13 I/03 方框图 引脚图 引脚图名称 (b)内部结构图 A0-A10 地址输入 I/O0-I/07数据输入/输出 CE 芯片允许 WE 写允许 拓宽数育网 OE 输出允许 ene (a)引脚图 图5.76116芯片的引脚及内部结构框图
二、动态随机存储器 动态RAM芯片是以MOS管栅极电容是否充有电 荷来存储信息的,其基本单元电路一般由四管、三管 和单管组成,以三管和单管较为常用。由于它所需要 的管子较少,故可以扩大每片存储器芯片的容量,并 且其功耗较低,所以在微机系统中,大多数采用动态 RAM芯片。 微机的存
二、动态随机存储器 动态RAM芯片是以MOS管栅极电容是否充有电 荷来存储信息的，其基本单元电路一般由四管、三管 和单管组成，以三管和单管较为常用。由于它所需要 的管子较少，故可以扩大每片存储器芯片的容量，并 且其功耗较低，所以在微机系统中，大多数采用动态 RAM芯片
(-)动态基本存储电路 1.三管动态基本存储电路 管动态基本存储电路如图5.8所示,它由3个管 子和两条字选择线,两条数据线组成。 读选择线 预充电 Tf 写选择线 读数据线 写数刷新 数 据线控制 图5.83管动态基本存储电路ken是 微机的存
(一）动态基本存储电路 １．三管动态基本存储电路 三管动态基本存储电路如图5.8所示，它由３个管 子和两条字选择线，两条数据线组成
写入操作时,写选择线上为高电平,T1导通。 待写入的信息由写数据线通过T1加到T2管的栅 极上,对栅极电容cg充电。着写入1,则cg上 充有电荷;若写入0,则cqg上无电荷。写操作结 束后,T1截止,信息被保存在电容Cg上。 微机的存
写入操作时，写选择线上为高电平，Ｔ1导通。 待写入的信息由写数据线通过Ｔ1加到Ｔ2管的栅 极上，对栅极电容Cg充电。若写入１，则Cg上 充有电荷；若写入０，则Cg上无电荷。写操作结 束后，Ｔ1截止，信息被保存在电容Cg上