读出操作时,先在T4管栅极加上预充电脉冲,使 T4管导通,读数据线因有寄生电容CD而预充到1 VDD)。然后使读选择线为高电平,T3管导通。 若T2管栅极电容Cg上已有有“1”信息,则T2管导 通。这时,读数据线上的预充电荷将通过T3,T2而泄 放,于是,读数据线上为0。若T2管栅极电容上所存 为“0″信息,则T2管不导通,则读数据线上为1。 因此,经过读操作,在读数据线上可以读出与原存储 相反的信息。若再经过读出放大器反相后,就可以得 到原存储信息了。 微机的存
读出操作时，先在Ｔ4管栅极加上预充电脉冲，使 Ｔ4管导通，读数据线因有寄生电容CD而预充到１ （ＶＤＤ）。然后使读选择线为高电平，Ｔ3管导通。 若Ｔ2管栅极电容Cg上已存有“１”信息，则Ｔ2管导 通。这时，读数据线上的预充电荷将通过Ｔ3,Ｔ2而泄 放，于是，读数据线上为０。若Ｔ2管栅极电容上所存 为“０”信息，则Ｔ2管不导通，则读数据线上为１。 因此，经过读操作，在读数据线上可以读出与原存储 相反的信息。若再经过读出放大器反相后，就可以得 到原存储信息了
对于三管动态基本存储电路,即使电源 不掉电,Cg的电荷也会在几毫秒之内逐渐 泄漏掉,而丟失原存1信息。为此,必须每 隔1ms~3ms定时对cg充电,以保持原 存信息不变,此即动态存储器的刷新(或叫 再生)。 微机的存
对于三管动态基本存储电路，即使电源 不掉电，Cg的电荷也会在几毫秒之内逐渐 泄漏掉，而丢失原存１信息。为此，必须每 隔１ms～３ms定时对Cg充电，以保持原 存信息不变，此即动态存储器的刷新（或叫 再生）
刷新要有刷新电路,如图58所示,若周期性地 读出信息,但不往外输出(这由读信号RD为高电 平来保证),经三态门(由刷新信号RFSH为低 电平时使其导通)反相,再写入Cg,就可实现刷新。 读选择线 预充电 T2 f 写选择线 读数据线 写数刷新 据线控制 数据 5.83作动基本存健也D微机存军
刷新要有刷新电路，如图5.8所示，若周期性地 读出信息，但不往外输出（这由读信号ＲＤ为高电 平来保证），经三态门（由刷新信号ＲＦＳＨ为低 电平时使其导通）反相，再写入Cg，就可实现刷新
2.单管动态基本存储电路 单管动态基本存储电路如图5.9所示,它T1管和 寄生电容Cs组成。 字选线 数据线 Cs ATen M ⊥CD 图5.9单管动态基本存储电路 微机的存
２．单管动态基本存储电路 单管动态基本存储电路如图5.9所示，它Ｔ1管和 寄生电容Cs组成
写入时,使字选线上为高电平,T1管导通 待写入的信息由位线D(数据线)存入Cs。 读出时,同样使字选线上为高电平,T1管 导通,则存储在Cs上的信息通过T1管送到D 线上,再通过放大,即可得到存储信息。 微机的存
写入时，使字选线上为高电平，T1管导通， 待写入的信息由位线D（数据线）存入Cs。 读出时，同样使字选线上为高电平，T1管 导通，则存储在Cs上的信息通过T1管送到D 线上，再通过放大，即可得到存储信息