2输出特性曲线 饱和区 ic f(vce const l2=80μA 在vc小于1v时,输出特性很陡。 放大区 B1=40A 原因是集电结的反向电压很小,对 l=0截上区 到达基区的电子吸引力不够,这时,0 a吃E/v i受vc的影响很大 当vc大于IV后,输出特性变的比较平坦。因为集电结的电场足 够强,能使发射区扩散到基区电子绝大部分都到达集电区 CE 增 加,i增加不多。 特性比较平坦的部分随着vc的增加略向上倾斜。当vcε增加时, 由于vg变化较少,故vc增加,集电结加宽,基区宽度减小,载 流子复合减少,β增大,i随vc增大。称为基区宽度调制效应。 16
16 iC=f(vCE) iB=const 2. 输出特性曲线 在vCE小于1V时，输出特性很陡。 原因是集电结的反向电压很小，对 到达基区的电子吸引力不够，这时， iC受vCE的影响很大。 当vCE大于1V后，输出特性变的比较平坦。因为集电结的电场足 够强，能使发射区扩散到基区电子绝大部分都到达集电区，vCE增 加，iC增加不多。 特性比较平坦的部分随着vCE的增加略向上倾斜。当vCE增加时， 由于vBE变化较少，故vCB增加，集电结加宽，基区宽度减小，载 流子复合减少，β增大，iC随vCE增大。称为基区宽度调制效应
314BJT的主要参数 直流参数直流电流放大系数a.B 极间反向电流 CBO·l CEO 交流参数交流电流放大系数a,B 特征频率 结电容Cbe b’e 极限参数集电极最大允许电流lCM 集电极最大允许功率损耗PCM 反向击穿电压
17 3.1.4 BJT的主要参数 交流参数 直流参数 极限参数 结电容 Cb’c 、Cb’e 集电极最大允许电流ICM 集电极最大允许功率损耗PCM 反向击穿电压 极间反向电流 ICBO 、ICEO 交流电流放大系数 、 直流电流放大系数 、 特征频率fT
314BJT的主要参数 1.电流放大系数 (1)共发射极直流电流放大系数B=(l-ICo)/B≈lc/l (2)共发射极交流电流放大系数B=△ic/△iB Ic/mA e500μA 30 d 400HA 300μA b 200μA 10 a IB=100HA OHA E/y VCE 在放大区且当B0和cpo很小时B≈B,可以不加区分 18
18 (1) 共发射极直流电流放大系数 = (IC－ICEO)/IB≈IC / IB 1. 电流放大系数 (2) 共发射极交流电流放大系数 = iC / iB 3.1.4 BJT的主要参数 在放大区且当ICBO和ICEO很小时， ≈，可以不加区分
314BJT的主要参数 CBO 2极间反向电流 (1)集电极基极间反向饱和电流lCBo e 发射极)开路 CC I=0 (2)集电极发射极间的反向饱和电流CcEo CEO CEO=(1+B)IcBO CC 19
19 3.1.4 BJT的主要参数 2. 极间反向电流 (1) 集电极基极间反向饱和电流 ICBO O —— （发射极）开路 + b c e - uA Ie=0 VCC ICBO (2) 集电极发射极间的反向饱和电流 ICEO CEO CBO I = (1+ )I + b c e - VCC ICEO uA
314BJT的主要参数 3.极限(1)集电极最大允许电流/M 参数(2)集电极最大允许功率损耗PcM=iE (3)反向击穿电压 V(BRICEO、 V(BR)EBO、 VBR)CBO · VBRCEO—基极开路时集电极和发射极间的击穿电压 Ic/mA 寸流区 M 安 全CM CE 工作过损区压 B=0 B V(BRICEO VCE/
20 3.1.4 BJT的主要参数 3. 极限 参数 (1) 集电极最大允许电流ICM (2) 集电极最大允许功率损耗PCM = iCvCE (3) 反向击穿电压V(BR)CEO 、V(BR) EBO 、V(BR)CBO • V(BR)CEO — 基极开路时集电极和发射极间的击穿电压