4.三极管(放大电路)的三种组态 输 输 端 端 CE CB C E IE=IB/(1-a) 共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示 共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示。 共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示; 外部条件:发物结正偏,集电结反偏 如何判断组态?
11 4. 三极管（放大电路）的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 如何判断组态？ 外部条件：发射结正偏，集电结反偏
5共射极连接方式 +△ 问题(1):如何保证? IB+△iB 发射结正偏 △Uo BE BB e 集电结反偏 △u VB+△VBl+AlE BC BE CE <0 lB放大电路vcct CE BE 问题(2):信号通路?与共基有何区别? +v1→+△vB→+△i一+Δic→+△vo本质相同! 但希望. +△i B △v1=20m→△iB=20μA→△ic=0.98mA→△vo=-0.98V 4、△g 0.98V △ 20mv -49R=△v1/△iB=1kg
5.共射极连接方式 VBB VCC VBE IB IC c e + b – IE RL VCE + – 问题(1)：如何保证？ 发射结正偏 VBE =VBB VBC = VBE - VCE <0 问题(2)：信号通路？与共基有何区别？ 集电结反偏 或VCE > VBE + – I +vBE +iE +iC +iB +vI +vBE +iE +iB +iC +vO 本质相同！ 但希望… vI = 20mV iB = 20A iC =0.98mA vO = -0.98 V 49 20mV 0.98V I O V = − − = = v v A Ri= vI / iB =1k + – O 放大电路
5共射极连接方式·l与l的关系 由的定义:a= CBO E E 即 c=ale+Icbo=a(b+lc+icbo a 整理可得: C CBO a 令:β= a+al C 1n+ B a -a CBO c= BIB+(1+ PlcO CBO IC=BlB+lcEo(穿透电流) 砖:01μA 锗:10uA BlB +lB≈(1+B)/B β是共射极电流放大系数,只与管子的结构尺寸和掺杂浓 度有关,与外加电压无关。一般β>>1(10~100)
5.共射极连接方式 IC与IB的关系： E C CBO E nC I I I I I − 由的定义： = = 即 IC = IE + ICBO = (IB + IC) + ICBO C B CBO 1 1 1 I I I − + − 整理可得: = − = 1 令： IC = IB + (1+ )ICBO IC = IB + ICEO （穿透电流） IC IB IE = IC + IB (1+)IB 是共射极电流放大系数，只与管子的结构尺寸和掺杂浓 度有关， 与外加电压无关。一般 >> 1（10～100） C B CBO 1 1 1 I I I − − + + − = ICBO 硅: 0.1A 锗: 10A
32BJT的电流分配与放大原理 综上所述,三极管的放大作用,主要是依靠它的 发射极电流能够通过基区传输,然后到达集电极而实 现的。 实现这一传输过程的两个条件是 (1)内部条件:发射区杂质浓度最高,基区杂质浓度 远低于发射区且很薄,集电区杂质浓度低于发射区且 面积大。 (2)外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置
14 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的 发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实 现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度最高，基区杂质浓度 远低于发射区且很薄，集电区杂质浓度低于发射区且 面积大。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理
313BJT的特性曲线(以共射极放大电路为例) 1输入特性曲线 fvBe) I VCE-conSt (1)当vcE=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2)当v≥1v时,vB=vCE-vg>0,集电结已进入反偏状态 开始收集电子,基区复合减少,同样的v下减小,特性 曲线右移。 /HA 100/ VCE=OV VCE2IV B C+C CE BE 40 BB 20 002040.60.810 共射极放大电路
15 3.1.3 BJT的特性曲线 vCE = 0V + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE iB=f(vBE) vCE=const (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态， 开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性 曲线右移。 vCE = 0V vCE 1V (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例）