55半导体的导电性质 二、载流子的迁移率 当温度一定时,在一定的电场强度下,载流子的定向漂移运动的平 均速度为一常数,且有 e=-p 8 Ph=uh8 1电子迁移率 h空穴迁移率 电流密度/为J=pOy
当温度一定时，在一定的电场强度 下，载流子的定向漂移运动的平 均速度为一常数，且有 e e h h μ ε μ ε = − = v v 电流密度 J 为 J = ρQ v 二、载流子的迁移率 5.5半导体的导电性质 半导体的导电性质 e h μ μ 电子迁移率 空穴迁移率
55半导体的导电性质 、载流子的迁移率 半导体的电流密度为 e+Jh=(neue peun )8 半导体的电导率为 0=(4+02)
半导体的电流密度为 ( μ μ )ε e h ne e pe h J = J + J = + 半导体的电导率为 ( ) e p σ = nqμ + pqμ 二、载流子的迁移率 5.5半导体的导电性质 半导体的导电性质
55半导体的导电性质 二、载流子的迁移率 载流子受到两次散射的平均时间间隔为(称为弛豫时间), 那么,从半经典力学的观点可以得出: qT=mV 载流子的迁移率可以表示为 ÷2
载流子受到两次散射的平均时间间隔为 （称为弛豫时间）， 那么，从半经典力学的观点可以得出： q ε τ = m * v 载流子的迁移率可以表示为： m * q τ μ = 二、载流子的迁移率 5.5半导体的导电性质 半导体的导电性质
55半导体的导电性质 、载流子的散射 弛豫时间和散射概率有如下关系: 总的散射概率为: ∑ 总的弛豫时间为: 载流子的迁移率可以表示为 ∑ 171
弛豫时间和散射概率有如下关系： P 1 τ = 总的散射概率为： = ∑i P Pi 三、载流子的散射 5.5半导体的导电性质 半导体的导电性质 总的弛豫时间为： = ∑i i τ τ 1 1 载流子的迁移率可以表示为： = ∑ μ i μi 1 1
55半导体的导电性质 、载流子的散射一电离杂质的散射 电离杂质对载流子的散射机制示意图(表示电子,0表示空穴) 电离杂质散射对载流子迁移率的影响 a7N72 式中,N是电离杂质的浓度
电离杂质散射对载流子迁移率的影响 1 3 / 2 i i Ni T − μ ∝ τ ∝ 式中， Ni是电离杂质的浓度 三、载流子的散射 5.5半导体的导电性质 半导体的导电性质 电离杂质对载流子的散射机制示意图( •表示电子，Ο表示空穴) — 电离杂质的散射