54热平衡载流子分布 四、本证半导体 导带上的电子浓度与价带上的空穴浓度必然相等 n=p=ni 1/2 E n,=(NcNy)"exp g ckpT 本征半导体费米能级与温度的关系为 Er+ey 3 2+-kRTIn h
n = p = ni k T E n N N B g i C V 2 ( ) exp 1/ 2 − = ln( ) 43 2 * * e h B C V F m m k T E E E + + = 导带上的电子浓度与价带上的空穴浓度必然相等 本征半导体费米能级与温度的关系为 5.4热平衡载流子分布 热平衡载流子分布 四、本证半导体
54热平衡载流子分布 四、本证半导体 T=0K时,费米能级E为 (EC+Er)
T=0K时，费米能级EF为 1 ( ) 2 EF = + E E C V 5.4热平衡载流子分布 热平衡载流子分布 四、本证半导体
54热平衡载流子分布 四、本证半导体 nRT 高温TH nLT 室温Txr Ec 低温Tr PRT PLT 状态密度Me)占据概率∫(e)载流子密度 (b)f(e) (c)n(E)和p(E) 温度对本征半导体载流子密度在能带中的分布的影响
温度对本征半导体载流子密度在能带中的分布的影响 5.4热平衡载流子分布 热平衡载流子分布 四、本证半导体
54热平衡载流子分布 四、本证半导体 PM 状态密度Me) 占据概率f(e) 载流子密度 (a)Ne (b)f(e) (c)m(E)和pe) 禁带宽度对本征半导体载流子密度在能带中的分布的影响
禁带宽度对本征半导体载流子密度在能带中的分布的影响 5.4热平衡载流子分布 热平衡载流子分布 四、本证半导体
54热平衡载流子分布 五、施主半导体 由于导带上的电子载流子的浓度是本征激发和施主电离二者共同贡献 的,所以可得电中性方程: N tp 1En。-E texp D E.-E, 1+2 exp B
由于导带上的电子载流子的浓度是本征激发和施主电离二者共同贡献 的，所以可得电中性方程： n N p = D + + ) exp 1 1 1 ( 1 k T E E N N B D F D D − + = − + β k T E E N N B F D D D − + = + 1 2exp 5.4热平衡载流子分布 热平衡载流子分布 五、施主半导体