四、轻掺杂;漏注入工艺 随着栅的宽度不断减小,栅下的沟道长度也不断减 小。这就增加源漏间电荷穿通的可能性,并引起不希望 的沟道漏电流。LDD工艺就是为了减少这些沟道漏电流 的发生 n- LDD Implant 1)第五层研磨 2)n-LDD注入(低能量,浅结) (2 Arsenic n-LDD implant +++￥++++++++: Thin Polish Films +4|⑥ Photoresist mask+++ Diffusion Photo Etch n-well p-well Implant p-Epitaxial layer p+ Silicon substrate 半导体制造技术 电信学院微电子教研室 Figure 9.14 by michael Quirk and Julian Serda
半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda 四、轻掺杂；漏注入工艺 随着栅的宽度不断减小，栅下的沟道长度也不断减 小。这就增加源漏间电荷穿通的可能性，并引起不希望 的沟道漏电流。LDD工艺就是为了减少这些沟道漏电流 的发生。 n- LDD Implant 1）第五层研磨 2） n-LDD注入（低能量，浅结） Thin Films 1 2 Diffusion Photo Etch Implant Polish p+ Silicon substrate p- Epitaxial layer n-well p-well n- n- n- 1 Photoresist mask 2 Arsenic n- LDD implant Figure 9.14
LDD Implant )第六层掩膜 2)P轻掺杂漏注入(低能量,浅结) (2 BF,p-LDD implant Thin Polish Photoresist mask Films Diffusion Photo Eto n-well p-well Implant p-Epitaxial layer p+ silicon substrate 半导体制造技术 电信学院微电子教研室 Figure 9.15 by michael Quirk and Julian Serda
半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda p- LDD Implant 1）第六层掩膜 2）P- 轻掺杂漏注入（低能量，浅结） 1 2 Diffusion Photo Etch Implant Polish Thin Films p+ Silicon substrate p- Epitaxial layer n-well p-well Photoresist Mask 1 p- p- 1 Photoresist mask n- n- 2 BF p- LDD implant 2 n- pFigure 9.15