p-well Formation 1)第二层掩膜 2)P井注入(高能) 3)退火 Boron implant Thin Films Polish Photoresist I Diffusion Etch n-well 32) p-well Implant Epitaxial laye p+ silicon substrate 半导体制造技术 电信学院微电子教研室 Figure 9.9 by michael Quirk and Julian Serda
半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda p-well Formation 1）第二层掩膜 2） P井注入(高能) 3）退火 Thin Films 3 1 2 Photo Implant Diffusion Polish Etch p+ Silicon substrate Boron implant 1 Photoresist p- Epitaxial layer Oxide 3 n-well 2 p-well Figure 9.9
浅曹隔离工艺 ST槽刻蚀 1)隔离氧化层 2)氮化物淀积 3)第三层掩膜,浅曹隔离 4)ST槽刻蚀 (氮化硅的作用:坚固的掩膜材料,有助于在ST氧化物淀积 过程中保护有源区;在CMP中充当抛光的阻挡材料。) Selective etching opens isolation regions in the epi layer. Films Polish ( Photoresist (2) Nitride Diffusion Photo Etch p-well STI Implant p-Epitaxial layer p+ Silicon substrate 半导体制造技术 电信学院微电子教研室 Figure 9.10 by michael Quirk and Julian Serda
半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda 二、浅曹隔离工艺 STI 槽刻蚀 1）隔离氧化层 2）氮化物淀积 3）第三层掩膜，浅曹隔离 4）STI槽刻蚀 （氮化硅的作用：坚固的掩膜材料，有助于在STI氧化物淀积 过程中保护有源区；在CMP中充当抛光的阻挡材料。） Thin Films 1 2 Photo Polish Etch Implant Diffusion 3 4 +Ions Selective etching opens isolation regions in the epi layer. p+ Silicon substrate p- Epitaxial layer n-well p-well 3 Photoresist 2 Nitride 4 1 Oxide STI trench Figure 9.10
STI OXide fill 1)沟槽衬垫氧化硅 2)沟槽CVD氧化物填充 Trench fill by chemical vapor deposition Thin Films Polish Trench CVD oxide Nitride Diffusion Photo Etch n-well Liner oxide p-Epitaxial layer p+ silicon substrate 半导体制造技术 电信学院微电子教研室 Figure 9.11 by michael Quirk and Julian Serda
半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda STI Oxide Fill 1）沟槽衬垫氧化硅 2）沟槽CVD氧化物填充 1 2 Diffusion Polish Photo Etch Implant Thin Films p-well Trench fill by chemical vapor deposition 1 Liner oxide p+ Silicon substrate p- Epitaxial layer n-well 2 Nitride Trench CVD oxide Oxide Figure 9.11
STI Formation 1)浅曹氧化物抛光(化学机械抛光) 2)氮化物去除 Planarization by chemical-mechanical polishing Thin Polish Films STI Oxide after polish 〔2 Nitride strip Diffusion Photo n-well Liner oxide p-Epitaxial layer p+ silicon substrate 半导体制造技术 电信学院微电子教研室 Figure 9.12 by michael Quirk and Julian Serda
半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda STI Formation 1）浅曹氧化物抛光（化学机械抛光） 2）氮化物去除 Thin Films 1 2 Diffusion Photo Etch Implant Polish p-well 1 2 Planarization by chemical-mechanical polishing STI oxide after polish Liner oxide p+ Silicon substrate p- Epitaxial layer n-well Nitride strip Figure 9.12
Poly Gate Structure Process 晶体管中栅结构的制作是流程当中最关键的一步,因 为它包含了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的形成 而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。 1)栅氧化层的生长 2)多晶硅淀积 3)第四层掩膜,多晶硅栅 4)多晶硅栅刻蚀 Photoresist Thin gate etch Films ⑤9X、图 Diffusion Photo Etch n-well p-well p-Epitaxial layer p+ silicon substrate 半导体制造技术 电信学院微电子教研室 Figure 9.13 by michael Quirk and Julian Serda
半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda 三、Poly Gate Structure Process 晶体管中栅结构的制作是流程当中最关键的一步，因 为它包含了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的形成 ，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。 1）栅氧化层的生长 2）多晶硅淀积 3）第四层掩膜，多晶硅栅 4）多晶硅栅刻蚀 Thin Films 1 2 Diffusion Photo Etch Implant Polish 3 4 p+ Silicon substrate 1 Gate oxide 2 p- Epitaxial layer n-well p-well Polysilicon deposition 4 Poly gate etch 3 Photoresist ARC Figure 9.13