5.L.1N沟道增强烈 MOSFET 1.结构 S G D 金属铝 两个N区 N P型基底|SiO2绝缘层 导电沟道 N沟道增强型
6 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1．结构 P N N S G D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型
S G D 予埋了导 电沟道 N沟道耗尽型
7 N 沟道耗尽型 P N N S G D 予埋了导 电沟道 G S D
G P P S P沟道增强型
8 N P P S G D G S D P 沟道增强型
D P P 予埋了导 电沟道 P沟道耗尽型
9 P 沟道耗尽型 N P P S G D G S D 予埋了导 电沟道
2.工作原理 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控 制,来改变导电沟道的宽窄,从而控制漏极 电流的大小。而 MOSFET则是利用栅源电压 的大小,来改变半导体表面感生电荷的多少, 从而控制漏极电流的大小 10
10 2．工作原理 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控 制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极 电流的大小。而MOSFET则是利用栅源电压 的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少， 从而控制漏极电流的大小