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光敏保护基团;光蚀刻掩膜(或蔽光膜) Lam Mask Array
18 光敏保护基团；光蚀刻掩膜（或蔽光膜）
Light (deprotection TT Mask T 00000→00000→ OHOH OOO D) TToOO Wafer ( GATCG merCATAT 冒 AGCTG TCCG T OHOHO Repeat GeneChip Microarray 光导合成法技术过程示意图
19 光导合成法技术过程示意图
每一循环需进行四步反应,若合成含n(如8) 个核苷酸的寡核苷酸,则需 4×n个化学步骤(4×8=32) 合成了 4个可能序列(48=65536) 合成速度快、步骤少、探针数目呈指数增长、 阵列密度高;但光蚀刻掩膜昂贵、每步产率 较低,因此合成探针长度较短<30nt
20 每一循环需进行四步反应，若合成含n（如8） 个核苷酸的寡核苷酸，则需 4×n个化学步骤 (4×8＝32） 合成了 4 n 个可能序列（4 8＝65536） 合成速度快、步骤少、探针数目呈指数增长、 阵列密度高；但光蚀刻掩膜昂贵、每步产率 较低，因此合成探针长度较短<30 nt
/·压电打印法 类似彩色喷墨打印,但有多个芯片喷 印头及储液囊,储液囊中装四种碱基 合成试剂,喷印头在整个芯片上移动 其化学原理:固相合成DNA 40~50nt,产率较高
• 压电打印法 21 类似彩色喷墨打印，但有多个芯片喷 印头及储液囊，储液囊中装四种碱基 合成试剂，喷印头在整个芯片上移动 其化学原理：固相合成DNA 40～50nt，产率较高