复旦大学微电子学系唐长文 直流工作点随着基极电流的变化 Ic 直流负载线 Vcc Rc 静态工作点 Ic IB VCE Vcc 2013/10/16 模拟电子学基础 26
2013/10/16 模拟电子学基础 26 复旦大学微电子学系 唐长文 直流工作点随着基极电流的变化 VCE IC 静态工作点 VCC RC t t IC VCE t IB VCC Q 直流负载线
复旦大学微电子学系唐长文 图解法分析输出动态范围 Ic 直流负载线 交流负载线 co Vcc CEO Rc 静态工作点 tan O IB VCE Vcc Vcc tg0=(R')月 ig=(R) 2013/10/16 模拟电子学基础 27
2013/10/16 模拟电子学基础 27 复旦大学微电子学系 唐长文 图解法分析输出动态范围 VCE IC 静态工作点 VCC RC t t IC VCE t IB VCC Q 直流负载线 VCC' 交流负载线 tg = (RC) tg = (R -1 L' )-1 ' tan CQ CC CEQ I V V ' 1 CQ CEQ L I V R ' ' CC CEQ CC L C L V V V R R R
复旦大学微电子学系唐长文 直流负载线和交流负载线 直接耦合情况：直流负载线与交流负载线 是同一根线 日 阻容耦合情况：只有在空载情况下，直流 负载线与交流负载线才合二为一 2013/10/16 模拟电子学基础 28
2013/10/16 模拟电子学基础 28 复旦大学微电子学系 唐长文 直流负载线和交流负载线 直接耦合情况：直流负载线与交流负载线 是同一根线 阻容耦合情况：只有在空载情况下，直流 负载线与交流负载线才合二为一
复旦大学微电子学系唐长文 由于动态范围不够引起的输出失真 Ic 交流负载线 (A) (A) (B) VCE A饱和失真 B截止失真 (A) (B) 2013/10/16 模拟电子学基础 29
2013/10/16 模拟电子学基础 29 复旦大学微电子学系 唐长文 由于动态范围不够引起的输出失真 VCE IC t t IC VCE t IB (A) 交流负载线 t IC t IB t VCE (A) (B) (B) (A) (B) A 饱和失真 B 截止失真
复旦大学微电子学系唐长文 例子：共射极电路 1. 当静态工作点从Q,移到Q2,从Q,移到Q3,从Q移到Q4,分别是哪个 参数变化造成的？参数是如何变化的？ 2. 哪种情况下最容易产生截止失真？哪种情况下最容易产生饱和失 真？哪种情况下输出动态范围最大？其值是多少？ 3. Q,时，VcC是多少伏？Rc是多少千欧？ Q+Vcc I/mA R 40μA R 3 30uA Vo 2 20uA Vi 0 IB=10uA B 00.72 4 6 810 12 VCE/V 2013/10/16 模拟电子学基础 30
2013/10/16 模拟电子学基础 30 复旦大学微电子学系 唐长文 例子：共射极电路 1. 当静态工作点从Q1移到Q2，从Q2移到Q3，从Q3移到Q4，分别是哪个 参数变化造成的？参数是如何变化的？ 2. 哪种情况下最容易产生截止失真？哪种情况下最容易产生饱和失 真？哪种情况下输出动态范围最大？其值是多少？ 3. Q4时，VCC是多少伏？RC是多少千欧？