3)p型半导体(四价元素中掺入三价元素) 44= 杂质能级接近满带顶,满带中电子容易受激发进入 杂质能级,使满带中空穴浓度增大。 空带空穴—多数载流子 受主 杂质能级—受主能级 杂质能级 。。。。价带(满)以空穴导电为主
3) p型半导体（四价元素中掺入三价元素） 空穴——多数载流子 杂质能级——受主能级 以空穴导电为主 杂质能级接近满带顶，满带中电子容易受激发进入 杂质能级，使满带中空穴浓度增大。 空带 价带（满） 杂质能级 受主
4)p-n结及其单向导电性 p-n结的形成及其对扩散的阻挡作用 电子np 扩散作用 空穴pn 阻挡层电场方向 evo 形成阻挡层势垒 Iv电子能带弯曲,电势高处, 电势能低
4） p-n结及其单向导电性 •p-n结的形成及其对扩散的阻挡作用 电子能带弯曲 ， 电势高处， 电势能低。 形成阻挡层势垒 阻挡层电场方向 n p 扩散作用 电子 n—p 空穴 p—n - + E eV0 V0 p n