p蒸发温度 定义：物质在饱和蒸气压为102Tor时的温度。 材料的饱和蒸气压卫。与温度T的关系为： lgp。=A-B T (10.8) 式中，A和B为与材料有关的常数，一些材料A和 B的数值见表10.3。在计算时，T为绝对温度，P.的单位 为微米汞柱
p 蒸发温度 定义：物质在饱和蒸气压为10-2 Torr时的温度。 材料的饱和蒸气压pe与温度T的关系为： 式中，A 和 B 为与材料有关的常数，一些材料 A 和 B 的数值见表 10.3。在计算时，T为绝对温度，Pe的单位 为微米汞柱
表10.3一些材料A和B的数值 金属 A B 金属 B 金属 A B 10.99 8.07×10 Sr 10.71 7.83×10 12.72 2.13×104 Na 10.72 5.49×103 Ba 10.70 8.76×103 Ti 12.50 2.32×10 K 10.28 4.48×10 Zn 11.63 6.54×10 Zr 12.33 3.03×104 Cs 9.91 3.80×103 Cd 11.56 5.72×103 Th 12.52 2.84×10 Cu 11.96 1.698×10 B 13.07 2.962×104 Ge 11.71 1.803×10 Ag 11.85 1.427×10 Al 11.79 1.594×10 Sn 10.88 1.487×10 Au 11.89 1.758×104 11.60 2.085×104 Pb 10.77 9.71×103 Be 12.01 1.647×10 Ga 11.41 1.384×10 Sb 11.15 8.63×10 Mg 11.64 7.65×103 In 11.23 1.248×104 Bi 11.18 9.53×103 Ca 11.22 8.94×103 C 15.73 4×10 Cr 12.94 2.0×10 Mo 11.64 3.085×10 Co 12.70 2.111×10 Os 13.59 3.7×10 E 12.40 4.068×10 Ni 12.75 2.096×10 13.07 3.123×10 U 11.59 2.331×10 Ru 13.50 3.38×10 P 12.53 2.728×10 Mn 12.14 1.374×10 Rh 12.94 2.772×10 13.07 2.572×10 Fe 12.44 1.997×104 Pa 11.78 1.971×10 Ta 13.04 4.021×10
p蒸发源与衬底的配置 蒸发源可分为点蒸发源和微平面蒸发源。 点蒸发源向各个方向蒸发，使点蒸发源位于衬底所 围成的球体中心，可获得厚度均匀的膜； 微平面蒸发源只向一个半空间蒸发，应与衬底处于 同一球体的表面上
p 蒸发源与衬底的配置 蒸发源可分为点蒸发源和微平面蒸发源。 点蒸发源向各个方向蒸发，使点蒸发源位于衬底所 围成的球体中心，可获得厚度均匀的膜； 微平面蒸发源只向一个半空间蒸发，应与衬底处于 同一球体的表面上
P应注意的问题 在进行真空蒸发时，特别要注意蒸发源材料的选择： ☑蒸发源材料的熔，点要高，要求高于蒸发温度，这是因 为蒸发温度一般都很高，多数在1000~2000C; ☑饱和蒸气压要低，避免或减少蒸发源材料在高温下随 蒸发材料进入薄膜中，降低薄膜质量； ☑化学性能稳定，避免蒸发源材料与蒸发材料发生反应， 降低薄膜质量； 在进行真空蒸发之前，要对衬底表面进行预处理，以 增强薄膜与衬底的结合强度
p 应注意的问题 在进行真空蒸发时，特别要注意蒸发源材料的选择： Ø 蒸发源材料的熔点要高，要求高于蒸发温度，这是因 为蒸发温度一般都很高，多数在1000~2000 ℃； Ø 饱和蒸气压要低，避免或减少蒸发源材料在高温下随 蒸发材料进入薄膜中，降低薄膜质量； Ø 化学性能稳定，避免蒸发源材料与蒸发材料发生反应， 降低薄膜质量； Ø 在进行真空蒸发之前，要对衬底表面进行预处理，以 增强薄膜与衬底的结合强度
真空蒸发技术的优缺点 p p 优点： p 缺点： ☑受蒸发源材料的限制，制备 设备简单； 熔点高的薄膜比较困难； 操作方便； 制备化合物薄膜时，定比不 制备的薄膜纯度高； 易控制； ☑成膜速率快； 0 制备的薄膜结晶度不太高； 0 效率高； ☑薄膜与衬底结合得不太牢固； ☑薄膜的生长机理简单。 ☑工艺重复性差
p 真空蒸发技术的优缺点 p 优点： Ø 设备简单； Ø 操作方便； Ø 制备的薄膜纯度高； Ø 成膜速率快； Ø 效率高； Ø 薄膜的生长机理简单。 p 缺点： Ø 受蒸发源材料的限制，制备 熔点高的薄膜比较困难； Ø 制备化合物薄膜时，定比不 易控制； Ø 制备的薄膜结晶度不太高； Ø 薄膜与衬底结合得不太牢固； Ø 工艺重复性差