MOS绝缘栅场效应管(N沟道) (1)结构 金属铝§ SiO2绝缘层 两个N区 未预留→N沟道增强型 P型基底N导电沟道 预留→N沟道耗尽型
MOS绝缘栅场效应管（N沟道） （1） 结构 P N N S G D P型基底 两个N区 金属铝 SiO2绝缘层 N导电沟道 未预留→ N沟道增强型 预留→ N沟道耗尽型
(2)符号 P 漏极 G 栅极G s源极 N沟道增强型 N沟道耗尽型
P N N S G D N沟道增强型 （2）符号 N沟道耗尽型 G S D 栅极 漏极 源极 G S D
N沟道MQs管的特性曲线 R D mA G DS GS S G D 实验线珞(共源极接法) P
N沟道MOS管的特性曲线 ID mA UDS V UGS 实验线路(共源极接法) G S D RD P N N S G D
NMOS场效应管转移特性 N沟道增强型D (Ues=0时, 0) G UsUs全正 S GS ( th 开启电压 N沟道耗尽型D (Ues=0时 有lb) G Us有正 0 s有负 GS( off) S 夹断电压
NMOS场效应管转移特性 N沟道耗尽型 （UGS=0时， 有ID） G S D 0 UGS（off） ID UGS 夹断电压 UGS有正 有负 N沟道增强型 （UGS=0时， ID =0 ） G S D ID UGS UGS（th） 开启电压 UGS全正
增强型NMOS场效应管 团定一个UDs,画出LD和Us 的关系曲线,称为转移特性 输出特性曲线 曲线 p(mA Ucc=5V GS 3 UGs=4V Ucs=3V Ucc=2V Ucs=lV GS 开启电压UGs()四(v
UGS=3V U DS （V ） ID（mA） 0 1 3 2 4 UGS=4V UGS=5V UGS=2V UGS=1V 开启电压UGS（th）=1V 固定一个U DS，画出ID和UGS 的关系曲线，称为转移特性 曲线 增强型NMOS场效应管 输出特性曲线