点 可做综合分析： OSEM装上波长色散X射线谱仪(WDX) (简称波谱 仪)或能量色散X射线谱仪（EDX)(简称能谱仪) 后，在观察扫描形貌图像的同时，可对试样微区进 行元素分析。 0 装上半导体样品座附件，可以直接观察晶体管或集 成电路的p-n结及器件失效部位的情况。 0 装上不同类型的试样台和检测器可以直接观察处于 不同环境（加热、冷却、拉伸等）中的试样显微结 构形态的动态变化过程（动态观察)。 11
11 特点 可做综合分析： o SEM装上波长色散X射线谱仪（WDX）（简称波谱 仪）或能量色散X射线谱仪（EDX）（简称能谱仪） 后，在观察扫描形貌图像的同时，可对试样微区进 行元素分析。 o 装上半导体样品座附件，可以直接观察晶体管或集 成电路的p-n结及器件失效部位的情况。 o 装上不同类型的试样台和检测器可以直接观察处于 不同环境（加热、冷却、拉伸等）中的试样显微结 构形态的动态变化过程（动态观察）
第一节扫描电子显微镜工作原理及构造 电子枪灯丝和高压电源 一、工作原理 光禁 扫描发生器 放大控制 扫撞放大器 直径为1~10nm的电子束 电子收器 光电倍增器 阴极射线管 f 相 12 图10-1扫描电子显微镜原理示意图
12 第一节 扫描电子显微镜工作原理及构造 一、工作原理 图10-1扫描电子显微镜原理示意图 直径为1~10nm的电子束
入射电子束 5-10nm 俄敢电子 0.52nm 二次电子 背散射电子 特征X射线 连续X射线 背散射电子 空间分辨率 X射线空间分辨率 图13-6 滴状作用体积 13
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激发固体样品产生的物理信号 0 背散射电子：成像分辨率较低，可用于成分分析和形貌分析。 0 二次电子：成像分辨率高，可有效进行形貌分析，但不能用作 成分分析。 0 吸收电子：分辨率较低；与前两者的电子像的反差互补，可用 作形貌分析和成分分析。 0 透射电子：利用电子能量损失谱仪可进行微区成分的定性和定 量分析； 0 俄歇电子：主要用于材料极表层的成分定性和定量分析： 0 特征X射线：主要用于材料微区成分定性和定量分析，分辨率为 100~1000nm 14
激发固体样品产生的物理信号 o 背散射电子：成像分辨率较低，可用于成分分析和形貌分析。 o 二次电子：成像分辨率高，可有效进行形貌分析，但不能用作 成分分析。 o 吸收电子：分辨率较低；与前两者的电子像的反差互补，可用 作形貌分析和成分分析。 o 透射电子：利用电子能量损失谱仪可进行微区成分的定性和定 量分析； o 俄歇电子：主要用于材料极表层的成分定性和定量分析； o 特征X射线：主要用于材料微区成分定性和定量分析，分辨率为 100～1000 nm 14
二次电子 (secondary electron) 二次电子是指被入射电子轰击出来的核外电子。 由于原子核和外层价电子间的结合能很小，因此外层 的电子比较容易和原子脱离。当原子的核外电子从入 射电子获得了大于相应的结合能的能量后，可离开原 子而变成自由电子。 01 如果这种散射过程发生在比较接近样品表层，那些能 量大于材料逸出功的自由电子可从样品表面逸出，变 成真空中的自由电子，即二次电子。 一个能量很高的入射电子射入样品时，可以产生许多 自由电子，而在样品表面上方检测到的二次电子绝大 部分来自价电子。 15
15 二次电子 （secondary electron） o 二次电子是指被入射电子轰击出来的核外电子。 o 由于原子核和外层价电子间的结合能很小，因此外层 的电子比较容易和原子脱离。当原子的核外电子从入 射电子获得了大于相应的结合能的能量后，可离开原 子而变成自由电子。 o 如果这种散射过程发生在比较接近样品表层，那些能 量大于材料逸出功的自由电子可从样品表面逸出，变 成真空中的自由电子，即二次电子。 o 一个能量很高的入射电子射入样品时，可以产生许多 自由电子，而在样品表面上方检测到的二次电子绝大 部分来自价电子