热CVD和等离子体辅助CVD的 典型沉积温度范围 薄膜 CVD况积温度( PECVD 硅外延薄膜 1000~1250 750 多晶硅 650 200~400 900 300 SiO 800~1100 300 TIC 900~1100 500 TIN 900~1100 500 WC 1000 325~525 在 PECVD温度下,若采用热CVD,则也许根本没有任何反应发生
热CVD和等离子体辅助CVD的 典型沉积温度范围 薄膜 沉积温度(C) CVD PECVD 硅外延薄膜 1000～1250 750 多晶硅 650 200～400 Si3N4 900 300 SiO2 800～1100 300 TiC 900～1100 500 TiN 900～1100 500 WC 1000 325～525 在PECVD温度下，若采用热CVD，则也许根本没有任何反应发生
PECVD过程中的微观过程 气体输入 CV过程 气体持出 Re/esin 宙分子 lel 甲副物 (b)PEeD过程 材底T ◆在气相中, PECVD发生的是PVD和CVD结合的过程 ◆在衬底表面,发生的是与热CVD相似的吸附、扩散、反应以 及脱附等一系列的微观过程
PECVD过程中的微观过程 ◆ 在气相中,PECVD发生的是PVD和CVD结合的过程 ◆ 在衬底表面,发生的是与热CVD相似的吸附、扩散、反应以 及脱附等一系列的微观过程 CVD过程 PECVD过程
PECVD过程中重要的物理化学过程 体分子与电子碰撞,产生出活性基团和离子 活性基团扩散到衬底表面 活性基团也可与其他气体分子或活性基团发生 相互作用,进而形成沉积所需的新的化学基团 ;化学基团扩散到衬底表面 到达衬底表面的各种化学基团发生各种沉积反 应并释放出反应产物 离子、电子轰击衬底造成的表面活化、衬底温 度升高引起的热激活效应等
◼ 气体分子与电子碰撞，产生出活性基团和离子 ；活性基团扩散到衬底表面 ◼ 活性基团也可与其他气体分子或活性基团发生 相互作用，进而形成沉积所需的新的化学基团 ；化学基团扩散到衬底表面 ◼ 到达衬底表面的各种化学基团发生各种沉积反 应并释放出反应产物 ◼ 离子、电子轰击衬底造成的表面活化、衬底温 度升高引起的热激活效应等 PECVD过程中重要的物理-化学过程