(b）带灌电流负载当负载门的个数增加时，总的灌电流。将增加，同时也将引起输出低电压V。的升高。当输出为低电平，并且保证不超过输出低电平的上限值。OLIoL（驱动门）NoL&（负载门IoL：驱动门的输出端为低电平电流IL：负载门输入端电流之和
(b)带灌电流负载 I ( ) I ( ) N 负载门 驱动门 IL OL OL = 当负载门的个数增加时，总的灌电流IOL将增加，同时也将引起 输出低电压VOL的升高。当输出为低电平，并且保证不超过输 出低电平的上限值。 IOL ：驱动门的输出端为低电平电流 IIL ：负载门输入端电流之和
各类数字集成电路主要性能参数的比较直流噪声容限传输延输出逻电源电静态功耗功耗-延迟积电路类型迟时间辑摆幅压/V/mW/mW-nsVNVNVNIns15+5101501.22.23.5CT54/74TTL7.52150.53.5+50.4CT54LS/74LS785307.513HTL+15255022550CE10K系列-5.20.1550.1250.8ECL-4.50.7540300.80.1350.130CE100K系列5×10-3225×10-35+5452.23.4VDD=5VCMOS15x10-3180×10-315+15126.59.0VDD-15V5+581×10-38×10-31.5高速CMOS1.0A公
电路类型 电源电 压/V 传输延 迟时间 /ns 静态功耗 /mW 功耗－延迟积 /mW-ns 直流噪声容限 输出逻 辑摆幅 VNL/V VNH/V /V TTL CT54/74 ＋5 10 15 150 1.2 2.2 3.5 CT54LS/74LS ＋5 7.5 2 15 0.4 0.5 3.5 HTL ＋15 85 30 2550 7 7.5 13 ECL CE10K系列 －5.2 2 25 50 0.155 0.125 0.8 CE100K系列 －4.5 0.75 40 30 0.135 0.130 0.8 CMOS VDD=5V ＋5 45 5×10－3 225 ×10－3 2.2 3.4 5 VDD=15V ＋15 12 15×10－3 180 ×10－3 6.5 9.0 15 高速CMOS ＋5 8 1×10－3 8 ×10－3 1.0 1.5 5 各类数字集成电路主要性能参数的比较