4.放大作用 iE=IE+△ie ic=aiE=Ic+△ic + e c+ UEB UCB △0 (iB=(1-a)i运 =B+△iB VEE Vec 共基极放大电路 若△v1=20mV使△iE=-1mA, 当0=0.98时， 则△ic=a△iE=-0.98mA,△vo=-△icR=0.98V, 电压放大倍数A,= AUo 0.98V =49 △w,20mV
共基极放大电路 4. 放大作用 若 vI = 20mV 电压放大倍数 49 20mV 0.98V I O v v Av 使 iE = -1 mA， 则 iC = iE = -0.98 mA，vO = -iC•RL= 0.98 V， 当 = 0.98 时
5.1.2放大状态下BJT的工作原理 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的 发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实 现的。 实现这一传输过程的两个条件是： (1)内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度， 且基区很薄。 (2)外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置
5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的 发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实 现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度， 且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置
5.1.3BJT的V特性曲线 1.输入特性曲线 (以共射极放大电路为例) ig=f(VBE)ocE-const (I)当vCp=OV时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2)当vcE≥21V时，vc=vcE-VBE>0,集电结已进入反偏状态，收集载流 子能力增强，基区复合减少，同样的VE下I减小，特性曲线右移。 iB/μA C十 b UBE e VBB 00.20.40.60.8 UBE/V 共射极放大电路
5.1.3 BJT的 I-V 特性曲线 + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + -vCE iB= f (vBE)vCE=const (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，收集载流 子能力增强，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例）
5.1.3BJT的V特性曲线 1.输入特性曲线 (3)输入特性曲线的三个部分 ①死区 gμA ②非线性区 100 80 ③ ③近似线性区 60 4 20 00.20.40.60.81.0 UBE/V
5.1.3 BJT的 I-V 特性曲线 (3) 输入特性曲线的三个部分 ①死区 ②非线性区 ③近似线性区 iB vBE iB vBE iB vBE 1. 输入特性曲线
5.1.3BJT的V特性曲线 2.输出特性曲线 饱和区 ic/mA iB=100uA ic=f(vcE)ig-const 放 80uA 60μA 输出特性曲线的三个区域： 大 40uA 饱和区：ic明显受vcp控制的区域， 20uA 该区域内，一般vCe<0.7V(硅 区 0 管)。此时，发射结正偏，集电 0 3 16 9 12c/V 截止区 结正偏或反偏电压很小。 放大区：ic平行于vc轴的区 截止区：i接近零的区域，相 域，曲线基本平行等距。此 当=0的曲线的下方。此时， 时，发射结正偏，集电结反 E小于死区电压。 偏
5.1.3 BJT的 I-V 特性曲线 饱和区：iC明显受vCE控制的区域， 该区域内，一般vCE＜0.7V (硅 管)。此时，发射结正偏，集电 结正偏或反偏电压很小。 iC= f (vCE)iB=const 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相 当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。 放大区：iC平行于vCE轴的区 域，曲线基本平行等距。此 时，发射结正偏，集电结反 偏。 2. 输出特性曲线