3.VI特性曲线及大信号特性方程 (1)输出特性及大信号特性方程 ②可变电阻区 预夹断临界点轨迹 in≈2Kn(oGs-Vr)vns ip/mA UDs=UGS-VT(UGD=UGS-UDS=VT) 1 8 可变电阻区 7V 2K(UGS-VT) 饱和区 6V B 其中 5V Kn= Ki W 4 C 4V 2L D Uas=3V 4：反型层中电子迁移率 截止区 10 15 20 UDS/V Cox：栅极（与衬底间）氧 K。=4Cox本征电导因子 化层单位面积电容 K为电导常数，单位：mA/V2 HOME BACK NEXT
3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ② 可变电阻区 D n G S T DS i 2K (v V ) v ( ) n G S T dso K V r 2 v 1 n ：反型层中电子迁移率 Cox ：栅极（与衬底间）氧 化层单位面积电容 Kn ' n Cox 本征电导因子 L W L K W K 2 2 n n ox n C 其中 Kn为电导常数，单位：mA/V2
3.I特性曲线及大信号特性方程 (1)输出特性及大信号特性方程 3 饱和区 预夹断临界点轨迹 (恒流区又称放大区) ip/mA UDs=UGS-VT(UGD=VGS-UDS=VT) A 7V 's>,且s≥（s-) 8 可变电阻区 饱和区 6V I特性： B 5V iD =Kn(GS-VT)2 C 4V =K- D Uas=3V E =lw- 截止区、 5 10 15 20 UDS/V IDo=KV?是Vs=2时的i HOME BACK NEXT
3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ③ 饱和区 （恒流区又称放大区） vGS >VT ，且vDS≥（vGS－VT） 2 ( ) D Kn G S VT i v 2 2 ( 1) T G S n T V K V v 2 ( 1) T G S DO V I v 2 DO Kn VT I 是vGS ＝2VT时的i D V-I 特性：
3.VI特性曲线及大信号特性方程 (2)转移特性 预夹断临界点轨迹 ip/mA UDs=VGS-VT(UGD=UGS-UDS=VT) ip=f(UGs)vos-comt. 8 可变电阻区 A 7V 饱和区 6V 6 B 5V ip/mA 4 C 4V 8 0 UGs=3V B 6 截止区、 5 10 15 20 UDS/V 4 UDc=10V D 2 E 0 1234567 UGs/V HOME BACK NEXT
3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （2）转移特性 D G S DS const. ( ) v v i f 2 ( 1) T G S D DO V i I v
5.1.2N沟道耗尽型OSFET 1.结构和工作原理(N沟道) g?掺杂后具有正 d 离子的绝缘层 二氧化硅 N N 衬底 耗尽层 N型沟道 g B P 6B衬底引线 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流 HOME BACK NEXT
5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理（N沟道） 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流