场效应管的分类： N沟道 增强型 MOSFET P沟道 (IGFET) N沟道 FET 绝缘栅型 耗尽型 场效应管 P的道 JFET N沟道 (耗尽型) 结型 P沟道 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 HOME BACK NEXT
P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类：
5.1.1N沟道增强型OSFET 1.结构(N沟道) L:沟道长度 W:沟道宽度 t:绝缘层厚度 通常W>L 绝缘体 沟道 栅极g 二氧化硅绝缘层 (SiO2) 铝电极 (A1) P型衬底 源极s 漏极d 人- HOME BACK NEXT
5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构（N沟道） L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W > L
5.1.1N沟道增强型MOSFET 1.结构(N沟道) 源极s 栅极g 漏极d 铝 SiO,绝缘层 铝 铝 衬底 耗尽层 P型硅衬底 B B衬底引线 剖面图 符号 HOME BACK NEXT
5.1.1 N沟道增强型MOSFET 剖面图 1. 结构（N沟道） 符号
5.1.1N沟道增强型OSFET 2.工作原理 D=0 铝 (1)⑦cs对沟道的控制作用 二氧化硅、 当vs≤0时 无导电沟道，d、s间加电压时，也 无电流产生。 耗尽层 当0<s<?时 B衬底引线 产生电场，但未形成导电沟道（感生沟 道)，d、s间加电压后，没有电流产生。 =0 当ves>时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加 电压后，将有电流产生。 N ℃s越大，导电沟道越厚 耗尽层N型（感生）沟道 P ?称为开启电压 B衬底引线 HOME BACK NEXT
5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 （1）vGS对沟道的控制作用 当vGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也 无电流产生。 当0<vGS <VT 时 产生电场，但未形成导电沟道（感生沟 道），d、s间加电压后，没有电流产生。 当vGS >VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加 电压后，将有电流产生。 vGS越大，导电沟道越厚 VT 称为开启电压
2.工作原理 VDD (2)VDs对沟道的控制作用 当vs一定(s>)时， s个→)个→沟道电位梯度个 g 万迅速增大 →靠近漏极d处的电位升高 →电场强度减小→沟道变薄 N N 整个沟道呈楔形分布 N型（感生）沟道 P 。B衬底引线 HOME BACK NEXT
2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 靠近漏极d处的电位升高 电场强度减小 沟道变薄 当vGS一定（vGS >VT ）时， vDSID 沟道电位梯度 整个沟道呈楔形分布