2.OTFT原理、制备及表征 986 器件结构 Gate Gate Drain Source Drain Source 细绝线因 铅绝缘层 Ip. 有机半导体 有机半导体 衬底 村 P3HT D a.顶栅顶接触结构 b.顶栅底接触结构 Silicon(n) G Drain Drain Source 有机半导体 有机半导体 底栅底接触结构 船绝像层 榆绝缘 村底 衬底 ↓ 适合作气体传感器 Gate Gate c.底栅顶接触结构 d.底棚底接触结构 电子科技大学敏感材料与传廊器课程组 制作
电子科技大学 敏感材料与传感器 课程组 制作 器件结构 底栅底接触结构 适合作气体传感器 2. OTFT原理、制备及表征
2.OTFT原理、制备及表征 986 工艺流程一器件 光刻 制备绝 缘层 source gate drain 制备 基片 栅极 制备源浦极 制备半 进行封装 导休层 n型s衬底 Al-Ti/Au电极 L=10μm W/L=200 W=2mm SiO,200nm,400nm 电子科技大学敏席材料与传核器课程组制作
电子科技大学 敏感材料与传感器 课程组 制作 L=10μm W=2mm W/L=200 n型Si衬底 Al--Ti/Au电极 SiO2 200nm, 400nm 工艺流程—器件 2. OTFT原理、制备及表征