400°C时,MoS2衬底上Au核心的相互吞并 的EE a0s;b0.06s;c0.18s;d0.50s;e1.06s;f6.18s
400C时, MoS2衬底上Au核心的相互吞并 a—0s；b—0.06s；c—0.18s； d—0.50s； e—1.06s；f—6.18s
连续薄膜的形成过程 熔结过程 ◆熔结是两个相互接触的核心相互昋并的过程。 在极短的时间内,两个相邻的核心从形成直接 接触,直到完成相互吞并的过程。降低表面能 的趋势仍是过程的驱动力。显然,表面扩散机 制对熔结过程可能有重要的贡献 原子团的迁移 ◆在衬底上,由相当数量原子组成的原子团在热 激活作用下具有相当的运动能力,其运动将使 其相互碰撞、合并
熔结过程 ◆ 熔结是两个相互接触的核心相互吞并的过程。 在极短的时间内，两个相邻的核心从形成直接 接触，直到完成相互吞并的过程。降低表面能 的趋势仍是过程的驱动力。显然，表面扩散机 制对熔结过程可能有重要的贡献 原子团的迁移 ◆ 在衬底上，由相当数量原子组成的原子团在热 激活作用下具有相当的运动能力，其运动将使 其相互碰撞、合并 连续薄膜的形成过程
四种典型的薄膜组织形态 在薄膜形核、核心合并过程之后,即是薄膜的 生长过程,最后形成相应的薄膜结构 薄膜沉积过程中,原子的沉积过程可细分为 微观过程 ◆气相原子的沉积 ◆原子在表面的扩散 ◆原子在薄膜内部的扩散 薄膜的生长模式可分为外延、非外延式生长两 种。其中,非外延式的薄膜生长模式导致四种 典型的薄膜组织形态
四种典型的薄膜组织形态 ◼ 在薄膜形核、核心合并过程之后，即是薄膜的 生长过程，最后形成相应的薄膜结构 ◼ 薄膜沉积过程中，原子的沉积过程可细分为三 个微观过程 ◼ 薄膜的生长模式可分为外延、非外延式生长两 种。其中，非外延式的薄膜生长模式导致四种 典型的薄膜组织形态 ◆ 气相原子的沉积 ◆ 原子在表面的扩散 ◆ 原子在薄膜内部的扩散
四种典型的薄膜组织形态 ■这些过程均受相应过程的激活能控制。因此, 薄膜结构的形成将与沉积时的衬底温度T、沉积 原子自身的能量E密切相关 温度的影响通过约化温度Ts/m影响薄膜的组织 ■溅射制备的薄膜随沉积条件而呈现四种典型的 组织形态。除衬底温度外,溅射气压对薄膜结 构有显著的影响。这是因为,溅射气压通过影 晌沉积粒子的分子碰撞过程影响粒子的能量
四种典型的薄膜组织形态 ◼ 这些过程均受相应过程的激活能控制。因此， 薄膜结构的形成将与沉积时的衬底温度T、沉积 原子自身的能量E密切相关 ◼ 温度的影响通过约化温度Ts/Tm影响薄膜的组织 ◼ 溅射制备的薄膜随沉积条件而呈现四种典型的 组织形态。除衬底温度外，溅射气压对薄膜结 构有显著的影响。这是因为，溅射气压通过影 响沉积粒子的分子碰撞过程影响粒子的能量
温度和气压对溅射薄膜组织的影响 气压力 0 4? DE A时粒于菜 06前
温度和气压对溅射薄膜组织的影响