P型半导体 硅或锗+少量硼≯P型半导体 硅原子 空穴 Si)5(Si 兴L ①6③ P型硅表示 硼原子 空穴被认为带一个单位的正电荷,并且 可以移动
空穴 P型半导体 硼原子 Si P型硅表示 Si Si B 硅原子 空穴被认为带一个单位的正电荷，并且 可以移动 硅或锗 +少量硼→ P型半导体
杂质半导体的示意表示法 ④((( 999999 P型半导体 N型半导体
杂质半导体的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N型半导体
§14.2PN结及其单向导电性 1421PN结的形成 在同一片半导体基片上,分别制造P型 半导体和N型半导体,经过载流子的扩散, 在它们的交界面处就形成了PN结
14.2.1 PN 结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造P型 半导体和N型半导体，经过载流子的扩散， 在它们的交界面处就形成了PN结。 §14.2 PN结及其单向导电性
PN结处载流子的运动 漂移运动 P型半导 N型半导 内电场E 体 e④④ e③e(中④ 空间电荷区 扩散运动
P型半导 体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导 体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 漂移运动 空间电荷区 PN结处载流子的运动
PN结处载流子的运动 漂移运动 P型半导 N型半导 内电场E 体 ⊙⊙eeee④内电场越强,就使漂 ⊙③⊕使空间电荷区变薄。 扩散的结果是使空间电 荷区逐渐加宽,空间电 荷区越宽。 扩散运动
扩散的结果是使空间电 荷区逐渐加宽，空间电 荷区越宽。 漂移运动 P型半导 体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导 体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E PN结处载流子的运动 内电场越强，就使漂 移运动越强，而漂移 使空间电荷区变薄