◆本征激发→电子空穴对：：=p 掺入B→空穴：p个B原子p个空穴 自由电子数=n,个，空穴数=p+P,P+p>n *自由电子-少数载流子 受主离子空穴 (Minority Carrier) 子 *空穴-多数载流子 8O°g°O°O9 (Majority Carrier) ⊙0O°O°O9
－ － － － － － － － － － － － ◆本征激发电子空穴对：ni ＝pi 掺入B空穴: p个B原子p个空穴 自由电子数= ni 个, 空穴数=p + pi ，pi + p > ni 空穴-多数载流子 (Majority Carrier) 自由电子-少数载流子 (Minority Carrier) 电 子 空 穴 对 受主离子 空穴
杂质半导体的示意图 多子一空穴 多子一电子 P型半导体 N型半导体 ⊙0O°OoO0 少子一电子 少子一空穴 ◆注意：少子浓度与温度有关 ◆N型导电特点：电子空穴导电，以电子导电为主 P型导电特点：电子空穴导电，以空穴导电为主
杂质半导体的示意图 + + + + + + + + + + + + N型半导体 － － － － － － － － － － － － P型半导体 多子 —空穴 多子 —电子 少子 —电子 少子 —空穴 ◆注意：少子浓度与温度有关 ◆ N型导电特点 :电子空穴导电 ,以电子导电为主 . P型导电特点 :电子空穴导电 ,以空穴导电为主
3.杂质对半导体导电性的影响 ◆掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的 影响，一些典型的数据如下： *T=300K室温下，本征硅的电子和空穴浓度： n=p=1.4×1010/cm3 *掺杂后N型半导体中的自由电子浓度： n=5×1016/cm3 *本征硅的原子浓度：4.96×1022/cm3 ◆以上三个浓度基本上依次相差101cm3
3. 杂质对半导体导电性的影响 ◆掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大的 影响，一些典型的数据如下: T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3 ◆以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3
本节中的有关概念 *本征半导体、杂质半导体 *施主杂质、受主杂质 *N型半导体、P型半导体 *自由电子、空穴 *多数载流子、少数载流子
本征半导体、杂质半导体 本节中的有关概念 自由电子、空穴 N型半导体、P型半导体 多数载流子、少数载流子 施主杂质、受主杂质
3.2PN结的形成及特性 3.2.1PN结(PN junction)的形成 3.2.2PN结的单向导电性 3.2.3PN结的反向击穿 3.2.4PN结的电容效应
3.2 PN结的形成及特性 3.2.1 PN结(PN junction)的形成 3.2.2 PN结的单向导电性 3.2.3 PN结的反向击穿 3.2.4 PN结的电容效应