膜对台阶的覆盖 我们期望膜在硅片表面上厚度一致,但由 于硅片表面台阶的存在,如果淀积的膜在台阶 上过渡的变薄,就容易导致高的膜应力、电短 路或在器件中产生不希望的诱生电荷。应力还 可能导致衬底发生凸起或凹陷的变形。 均匀厚度 共形台阶覆盖 非共形台阶覆盖 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室
电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 膜对台阶的覆盖 我们期望膜在硅片表面上厚度一致，但由 于硅片表面台阶的存在，如果淀积的膜在台阶 上过渡的变薄，就容易导致高的膜应力、电短 路或在器件中产生不希望的诱生电荷。应力还 可能导致衬底发生凸起或凹陷的变形。 共形台阶覆盖 非共形台阶覆盖 均匀厚度
高的深宽比间隙 可以用深宽比来描述一个小间隙(如槽或孔), 深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值(见下图) 深宽比 深度 深宽比500A 宽度 250A 500 A 面m 250A→ 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda Figure 11.6 电信学院微电子教研室
电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 高的深宽比间隙 可以用深宽比来描述一个小间隙（如槽或孔）， 深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值(见下图) 深宽比 = 深度 宽度 = 2 1 深宽比 = 500 Å 250 Å 500 Å D W 250 Å Figure 11.6
高的深宽比间隙 POLYCIDE GATE e P4 SID Photograph courtesy of Integrated Circuit Engineering 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda Photo 11.2 电信学院微电子教研室
电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 高的深宽比间隙 Photograph courtesy of Integrated Circuit Engineering Photo 11.2
薄膜生长的步骤 气体分子 成核 凝聚 连续的膜 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda Figure 11.7 电信学院微电子教研室
电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 薄膜生长的步骤 连续的膜 气体分子 成核 凝聚 Substrate Figure 11.7
膜淀积技术 化学工艺 物理工艺 化学气相淀积 电镀 物理气相淀积 (PVD)或溅射 蒸发旋涂方法 (CVD) 常压化学气相淀积 电化学淀积 (APCVD) 或亚常压化学气相淀积 (ECD) 直流二极管 灯丝和电子束旋涂玻璃s 通常指电镀 (SOG) (SACVD) 低压化学气相淀积 化学镀层 射频 分子東外延旋涂绝缘介 (LPCVD) (RF (MBE) 质(SOD) 等离子体辅助CⅴD 等离子体增强CVD (PECVD) 高密度等离子体化 直流磁电管 学气相淀积 (HDPCVD) 气相外延(VPE)和 金属有机化学气相淀积 离子化金属等离子 体(IMP) (MOCVD) 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda Table 1l.1 电信学院微电子教研室
电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 化学工艺 物理工艺 化学气相淀积 (CVD) 电镀 物理气相淀积 (PVD)或溅射 蒸发 旋涂方法 常压化学气相淀积 (APCVD) 或亚常压化学气相淀积 (SACVD) 电化学淀积 (ECD), 通常指电镀 直流二极管 灯丝和电子束 旋涂玻璃 s (SOG) 低压化学气相淀积 (LPCVD) 化学镀层 射频 (RF) 分子束外延 (MBE) 旋涂绝缘介 质(SOD) 等离子体辅助 CVD ▪ 等离子体增强 CVD (PECVD) ▪ 高密度等离子体化 学气相淀积 (HDPCVD) 直流磁电管 气相外延(VPE)和 金属有机化学气相淀积 (MOCVD) 离子化金属等离子 体 (IMP) 膜淀积技术 Table 11.1