ULS硅片上的多层金属化 钝化层 压点金属 LD-4 M-3%%%%%%8 ILD-2 國M1交交 ILD-1 屋燃网 LI oxide pt n-well p-well p Epitaxial layer p* silicon substrate 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda Figure 11.3 电信学院微电子教研室
电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda ULSI硅片上的多层金属化 Figure 11.3 钝化层 压点金属 p + Silicon substrate Via ILD-2 ILD-3 ILD-4 ILD-5 M-1 M-2 M-3 M-4 p - Epitaxial layer p + ILD-6 LI oxide STI n-well p-well ILD-1 Poly gate n + p + p + n + n + LI metal
芯片中的金属层 METAL 4 METAL 2 M ETAL 3 METAL 2 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda Photo ll l 电信学院微电子教研室
电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 芯片中的金属层 Photo 11.1
●薄膜淀积 半导体器件工艺中的“薄膜”是一种固态薄 膜,薄膜的种类和制备方法在第四章中已作过简 单介绍。 薄膜淀积是指仼何在硅片衬底上物理淀积 层膜的工艺,属于薄膜制造的一种工艺,所淀积 的薄膜可以是导体、绝缘材料或者半导体材料。 比如二氧化硅(sO2)、氮化硅(Si3N4)、多 晶硅以及金属(Cu、W) 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室
电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda • 薄膜淀积 半导体器件工艺中的“薄膜”是一种固态薄 膜，薄膜的种类和制备方法在第四章中已作过简 单介绍。 薄膜淀积是指任何在硅片衬底上物理淀积一 层膜的工艺，属于薄膜制造的一种工艺，所淀积 的薄膜可以是导体、绝缘材料或者半导体材料。 比如二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、多 晶硅以及金属（Cu、W）
固态薄膜 厚 与衬底相比 宽 薄膜非常薄 Oxide Silicon substrate 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda Figure 11. 4 电信学院微电子教研室
电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 固态薄膜 Silicon substrate Oxide 宽 厚 与衬底相比 薄膜非常薄 Figure 11.4
薄膜特性 好的台阶覆盖能力 ·填充高的深宽比间隙的能力 好的厚度均匀性 ·高纯度和高密度 受控制的化学剂量 ·高度的结构完整性和低的膜应力 好的电学特性 ·对衬底材料或下层膜好的黏附性 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室
电信学院微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 薄膜特性 • 好的台阶覆盖能力 • 填充高的深宽比间隙的能力 • 好的厚度均匀性 • 高纯度和高密度 • 受控制的化学剂量 • 高度的结构完整性和低的膜应力 • 好的电学特性 • 对衬底材料或下层膜好的黏附性