(2)电子在基区中的扩散与复合由发射区来的电子注入基区后，在基区中形成了一定的浓度梯度，靠近发射结附近浓度最高，离发射结越远浓度越小。因此，电子就要向集电结的方向扩散，在扩散过程中又会与基区中的空穴复合，同时接在基区的电源V的正端则不断从基区拉走电子，好像不断供给基区空穴。电子复合的数目与电源从基区拉走的电子数目相等，使基区的空穴浓度基本维持不变。这样就形成了基区电流Ir，所以基极电流就是电子在基区与空穴复合的电流HOMEBACKNEXT
（2）电子在基区中的扩散与复合 由发射区来的电子注入基区后，在基区 中形成了一定的浓度梯度，靠近发射结附近 浓度最高，离发射结越远浓度越小。因此， 电子就要向集电结的方向扩散，在扩散过程 中又会与基区中的空穴复合，同时接在基区 的电源VEE的正端则不断从基区拉走电子， 好像不断供给基区空穴。电子复合的数目与 电源从基区拉走的电子数目相等，使基区的 空穴浓度基本维持不变。这样就形成了基区 电流IB，所以基极电流就是电子在基区与空 穴复合的电流
米(3)集电区收集扩散过来的电子集电极所加的是反向电压，这样集电结形成一个由集电区指向基区的电场，使集电区的电子和基区的空穴很难通过集电结，但这个电场对基区扩散到集电结边缘的电子却有很强的吸引力，可使电子很快地漂移过集电结为集电区所收集，形成集电极电流HOMEBACKNEXT
（3）集电区收集扩散过来的电子 集电极所加的是反向电压，这样 集电结形成一个由集电区指向基区的 电场，使集电区的电子和基区的空穴 很难通过集电结，但这个电场对基区 扩散到集电结边缘的电子却有很强的 吸引力，可使电子很快地漂移过集电 结为集电区所收集，形成集电极电流 IC
十另一方面，根据反向PN结的特性当集电结加反向电压时，基区中少数载流子电子和集电区中少数载流子空穴在结电场作用下形成反向漂移电流，这部分电流决定了少数载流子浓度，称为反向饱和电流IcBO，它的数值是很小的，这个电流对放大没有贡献，而且受温度影响很大，容易使管子工作不稳定，所以在制造过程中要尽量设法减小IcBO°HOMEBACKNEXT
另一方面，根据反向PN结的特性， 当集电结加反向电压时，基区中少数载 流子电子和集电区中少数载流子空穴在 结电场作用下形成反向漂移电流，这部 分电流决定了少数载流子浓度，称为反 向饱和电流ICBO，它的数值是很小的， 这个电流对放大没有贡献，而且受温度 影响很大，容易使管子工作不稳定，所 以在制造过程中要尽量设法减小ICBO
4.1.2BJT的电流分配与放大原理以上看出，三极管内有两种载流子自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT(BipolarJunctionTransistor)。HOMEBACKNEXT
以上看出，三极管内有两种载流子 (自由电子和空穴)参与导电，故称为双极 型三极管。或BJT(Bipolar Junction Transistor)。 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理
2.电流分配关系根据传输过程可知Ie=Ip+ Ic Ic=Inc+ IcBO IB=IB*-IcBO传输到集电极的电流设发射极注入电流NPN即nc一通常Ic>> IcBOlo则有α~ICBOwIg=lg-LBobI,-n+I80α为电流放大系数tIB州·....它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电=1+Ic压无关。一般α= 0.9~0.99载流子的传输过程HOMENEXTBACK
2. 电流分配关系 发射极注入电流 传输到集电极的电流 设 = E nC I I 即 = 根据传输过程可知 IC= InC+ ICBO IB= IB’ - ICBO 通常 IC >> ICBO E C I I 则有 为电流放大系数， 它只与管子的结构尺寸和 掺杂浓度有关，与外加电 压无关。一般 = 0.90.99 IE =IB+ IC 载流子的传输过程