c集电极CP集电区集电结Nb福基区基极发射结P发射区福ee发射极HOMEBACKNEXT
结构特点：·发射区的掺杂浓度最高·集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大：·基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低-NPN型-N管芯结构部面图HOMEBACKNEXT
结构特点： • 发射区的掺杂浓度最高； • 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； • 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且 掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图
4.1.2BJT的电流分配与放大原理米三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。1.内部载流子的传输过程NPN发射区：发射载流子收集载流子集电区：福基区：传送和控制载流子ICBO（以NPN为例）.h I,-In+IcBoIg=l-LBO1中州·1=1+1载流子的传输过程HOMENEXTBACK
4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 1. 内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通 过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 载流子的传输过程
(1)发射区向基区注入电子由于发射结外加正向电压，因此这时发射区的多数载流子电子不断通过发射结扩散到基区，形成发射极电流Ie，其方向与电子流动方向相反HOMENEXTBACK
（1）发射区向基区注入电子 由于发射结外加正向电压，因此 这时发射区的多数载流子电子不断通 过发射结扩散到基区，形成发射极电 流IE，其方向与电子流动方向相反
发射结集电结NPNJeJ.EIc>萍：复合电子流Vo+VccVo-VEEIBVeFVerHOMENEXTBACK