3.一个晶胞对X射线的散射强度 山东理子大军 n定义F是以一个电子散射波振幅为单位的晶胞散 射波合成振幅，则 公 A,_晶胞内各原子散射波合成振幅 L A 一个电子散射波振幅 afe,=afe2n,+,*,） /= j=1 下反映了晶体结构对合成振幅的影响，称为 结构振幅 个晶胞的散射强度1，=1。F
3. 一个晶胞对X射线的散射强度 n 定义F是以一个电子散射波振幅为单位的晶胞散 射波合成振幅，则 F反映了晶体结构对合成振幅的影响，称为 结构振幅 一个晶胞的散射强度
一个电子的散射 n将E分解为相互垂直的两束偏振光（光矢量分别为E,和 Ez)，设Ez与入射光传播方向(O)及考察散射线(0P) 在一个平面内，得 E盼=E+E6,Eox=E ®==E E n光强度(I)正比于光矢量振幅 28 2 的平方，而衍射分析中只考虑 相对强度，设I=码，有 E 1o=E6,1o=Ex,1o=E6, 而lo=1ox+1o,1om=1o:
一个电子的散射 n 将E0分解为相互垂直的两束偏振光（光矢量分别为E0x和 E0z），设E0z与入射光传播方向(Oy)及考察散射线（OP） 在一个平面内，得 n 光强度（I）正比于光矢量振幅 的平方，而衍射分析中只考虑 相对强度，设I=E 2，有