《电磁场》课程教学课件（PPT讲稿，电磁场与电磁波）第二章 静电场

电场强度通过任一曲面的通量称为电通，以4表示，即y=E.dsC电场线方程Exdl=0电场管几种典型的电场线分布田④田田feeee正电荷负电荷带电平行板电场线的疏密程度可以显示电场强度的大小

电场线方程 Edl = 0 电场管           带电平行板  负电荷  正电荷 几种典型的电场线分布 电场线的疏密程度可以显示电场强度的大小。 电场强度通过任一曲面的通量称为电通，以  表示，即 d S  =   E S

2.真空中静电场方程E满足下实验表明，真空中静电场的电场强度列两个积分形式的方程.E.ds=q E.dl= 060式中为真空介电常数。×10-9 (F/m)8。 = 8.854187817...×10-12(F / m)36元

2. 真空中静电场方程 实验表明，真空中静电场的电场强度 E 满足下 列两个积分形式的方程   = S E S 0 d  q   = l E l d 0 式中0 为真空介电常数。 10 (F/m) 36π 1 8.854187817 10 (F/ m) 1 2 9 0 − −  =   

E.ds= q60此式称为高斯定律。它表明真空中静电场的电场强度通过任一封闭曲面的电通等于该封闭曲面所包围的电荷量与真空介电常数之比。E.dl = 0此式表明，真空中静电场的电场强度沿任一条闭合曲线的环量为零

此式表明，真空中静电场的电场强度沿任一条闭 合曲线的环量为零。   = S E S 0 d  q   = l E l d 0 此式称为高斯定律。它表明真空中静电场的电场 强度通过任一封闭曲面的电通等于该封闭曲面所 包围的电荷量与真空介电常数之比

E.ds= qf,E·dl =060V.E=PV×E=060真空中静电场的电场强度在某点的散度等于该点的电荷体密度与真空介电常数之比。高斯定理表明：静电场是有源场，电场线起始于正电荷，终止于负电荷环路定理表明：静电场是无旋场，是保守场，电场力做功与路径无关。真空中静电场是有散无旋场

0     E =  E = 0 真空中静电场的电场强度在某点的散度等于该点的电荷 体密度与真空介电常数之比。   = S E S 0 d  q   = l E l d 0 真空中静电场是有散无旋场。 高斯定理表明：静电场是有源场，电场线起始于正电 荷，终止 于负电荷。 环路定理表明：静电场是无旋场，是保守场，电场力 做功与路径 无关

已知静电场的电场强度的散度及旋度以后，根据亥姆霍兹定理，电场强度E应为E=-VΦ+VxAdlo(rV'.E(r)dy[r-r'lV'xE(r)dyA(r)r-rx

已知静电场的电场强度的散度及旋度以后，根据 亥姆霍兹定理，电场强度E 应为 E = − + A         −    =  −    =     V V V V d ( ) 4π 1 ( ) d ( ) 4π 1 ( ) |r r | E r A r |r r | E r  r x P z y r O dV (r) r − r r